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EG2132 Datasheet(PDF) 7 Page - Jingjing Microelectronics Co., Ltd |
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EG2132 Datasheet(HTML) 7 Page - Jingjing Microelectronics Co., Ltd |
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7 / 12 page ![]() 屹晶微电子有限公司 EG2132 芯片数据手册 V1.0 大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动芯片 2017 ©屹晶微电子有限公司 版权所有 www.egmicro.com 4/9 7. 电气特性 7.1 极限参数 无另外说明,在 TA=25℃条件下 符号 参数名称 测试条件 最小 最大 单位 VB 自举高端 VB 电源 - -0.3 300 V VS 高端悬浮地端 - VB-25 VB+0.3 V HO 高端输出 - VS-0.3 VB+0.3 V LO 低端输出 - -0.3 VCC+0.3 V VCC 电源 - -0.3 25 V HIN HIN 高通道逻辑信 号输入电平 - -0.3 VCC+0.3 V LIN 低通道逻辑信号输 入电平 - -0.3 6 V TA 环境温度 - -45 125 ℃ Tstr 储存温度 - -55 150 ℃ TL 焊接温度 T=10S - 300 ℃ 注:超出所列的极限参数可能导致芯片内部永久性损坏,在极限的条件长时间运行会影响芯片的可靠性。 |
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