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JCS650 Datasheet(PDF) 2 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

No. de pieza JCS650
Descripción Electrónicos  N-CHANNEL MOSFET
PDF  10 Pages
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Fabricante Electrónico  JSMC [JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.]
Página de inicio  http://www.hwdz.com.cn
Logo JSMC - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

JCS650 Datasheet(HTML) 2 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

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background image
R
JCS650
版本：201008A
2/10
绝对最大额定值
ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
*漏极电流由最高结温限制
*Drain current limited by maximum junction temperature
数
值
Value
项
目
Parameter
符
号
Symbol
JCS650C
JCS650F
单
位
Unit
最高漏极－源极直流电压
Drain-Source Voltage
VDSS
200
V
28
28*
A
连续漏极电流
Drain Current
-continuous
ID
T=25℃
T=100℃
17.7
17.7*
A
最大脉冲漏极电流（注 1）
Drain Current - pulse
（
note 1）
IDM
112
112*
A
最高栅源电压
Gate-Source Voltage
VGSS
±30
V
单脉冲雪崩能量（注 2）
Single Pulsed Avalanche
Energy（note 2）
EAS
575
mJ
雪崩电流（注 1）
Avalanche Current（note 1）
IAR
28
A
重复雪崩能量（注 1）
Repetitive Avalanche Current
（
note 1）
EAR
15.8
mJ
二极管反向恢复最大电压变化
速率（注 3）
Peak Diode Recovery dv/dt
（
note 3）
dv/dt
5.5
V/ns
158
50
W
耗散功率
Power Dissipation
PD
TC=25℃
-Derate
above
25℃
1.265
0.40
W/℃
最高结温及存储温度
Operating and Storage
Temperature Range
TJ，TSTG
-55～+150
℃
引线最高焊接温度
Maximum Lead Temperature
for Soldering Purposes
TL
300
℃



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