El transistor de efecto de campo-óxido de metal-semiconductor (MOSFET) es un tipo de dispositivo semiconductor de potencia utilizado para controlar aplicaciones de alta potencia, como suministros de alimentación, unidades de motor e inversores.
Es un tipo de transistor de efecto de campo (FET), lo que significa que opera controlando el flujo de corriente entre su fuente y los terminales de drenaje utilizando un campo eléctrico.
En un MOSFET, el flujo de corriente está controlado por una película delgada de óxido de metal que actúa como una puerta, que está aislada del resto del dispositivo por una capa aislante delgada.
El voltaje de la puerta controla el ancho del canal entre la fuente y los terminales de drenaje, lo que determina el flujo de corriente a través del dispositivo.
Hay dos tipos principales de MOSFET: canal N y canal P. Los MOSFET de canal N tienen un canal que está dopado con un material de tipo N, mientras que los MOSFET de canal P tienen un canal que está dopado con un material de tipo P.
Los MOSFET ofrecen varias ventajas sobre otros tipos de semiconductores de potencia, que incluyen alta impedancia de entrada, baja resistencia en el estado, velocidades de conmutación rápidas y alta eficiencia.
También son altamente versátiles y pueden usarse en una variedad de aplicaciones, como fuentes de alimentación, unidades de motor e inversores.
Sin embargo, los MOSFET también tienen algunas desventajas, incluida una clasificación de voltaje limitada y la necesidad de un circuito de transmisión de compuerta para controlar el dispositivo.
Además, son susceptibles a la fugación térmica, lo que puede hacer que el dispositivo falle si se sobrecalienta.
Para mitigar este riesgo, los MOSFET a menudo se usan en combinación con otros componentes, como dispositivos de protección térmica o circuitos Snubber.
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