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EMB80P03JS Datasheet(PDF) 4 Page - Excelliance MOS Corp.

No. de pieza EMB80P03JS
Descripción Electrónicos  P?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
PDF  5 Pages
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Fabricante Electrónico  EXCELLIANCE [Excelliance MOS Corp.]
Página de inicio  http://www.excelliancemos.com/
Logo EXCELLIANCE - Excelliance MOS Corp.

EMB80P03JS Datasheet(HTML) 4 Page - Excelliance MOS Corp.

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2015/7/15 
p.4 
EMB80P03JS
t  ,Time ( SEC )
Single Pulse Maximum Power Dissipation
0.001
0
5
1
0.1
0.01
1
10
15
20
1000
10
100
A
Single Pulse
R    = 166°C/W
T  = 25°C
θJA
‐1
t1  ,Time ( SEC )
Transient Thermal Response Curve
10
‐4
0.05
0.02
0.01
0.1
10
‐3
10
‐2
10
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
0.2
1
4.R    (t)=r(t) * R
3.T  ‐  T   = P * R     (t)
2.R     =166°C/W
1.Duty Cycle,D =
t1
P
Notes:
1
10
θ
JA
J
θ
JA
DM
1000
θ
JA
100
t1
t2
t2
θ
JA
A
0.01
0.1
‐V   ,Drain‐Source Voltage( V )
Maximum Safe Operation Area
R    = 166 C/W
JA
T  = 25 C
SINGLE PULSE
GS
V   = ‐10V
0.01
0.1
A
0.1
θ
°
DS
1
°
DS(ON)
R       LIMIT
1
10
100
10
DC
50
10ms
10s
1s
100ms
μ
100   s
1ms
DS
V   = ‐ 5V
Q   ‐ Gate Charge( nC )
0
0
2
4
g
24
I   = ‐ 3A
6
8
10
D
8
6
10
‐ 15V
‐ 10V
Gate Charge Characteristics
‐ V   , Drain‐Source Voltage( V )
Capacitance Characteristics
240
0
0
80
160
Crss
DS
5
Coss
320
400
480
10
15
20
Ciss
25
30
V   = 0V
GS
f = 1MHZ
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 



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