JCS1SN60RC-O-R-N-B datasheet(4/11 Pages) JSMC

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JCS1SN60C

版本：201510B

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电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS

开关特性 Switching Characteristics

延迟时间 Turn-On delay time

td(on)

VDD=300V,ID=1.2A,RG=25Ω

（note 4，5）

上升时间 Turn-On rise time

46 105

延迟时间 Turn-Off delay time

td(off)

下降时间 Turn-Off Fall time

栅极电荷总量 Total Gate Charge

VDS =480V ,

ID=1.2A

VGS =10V

（note 4，5）

4.5 4.9

栅－源电荷 Gate-Source charge

Qgs

1.0

栅－漏电荷 Gate-Drain charge

Qgd

2.5

漏－源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings

正向最大连续电流

Maximum Continuous Drain

-Source Diode Forward Current

1.2

正向最大脉冲电流

Maximum Pulsed Drain-Source

Diode Forward Current

ISM

4.8

正向压降

Drain-Source Diode Forward

Voltage

VSD

VGS=0V,

IS=1.2A

1.4

反向恢复时间

Reverse recovery time

trr

VGS=0V,

IS=1.2A

dIF/dt=100A/μs

(note 4)

185

反向恢复电荷

Reverse recovery charge

Qrr

0.51

μC

热特性 THERMAL CHARACTERISTIC

项

目

Parameter

符

号

Symbol

最大

Max

单

位

Unit

JCS1SN60TC JCS1SN60VC/RC

结到管壳的热阻

Thermal Resistance, Junction to Case

Rth(j-c)

－

4.75

℃/W

结到环境的热阻

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Rth(j-A)

120

105

℃/W

注释：

1：脉冲宽度由最高结温限制

2：L=59mH, IAS=1.2A, VDD=50V,

RG=25 Ω,起始结

温 TJ=25℃

3：ISD ≤1.2A,di/dt ≤200A/μs,VDD≤BVDSS,起始结温

TJ=25℃

4：脉冲测试：脉冲宽度

≤300μs,占空比≤2％

5：基本与工作温度无关

Notes:

1 ： Pulse

width

limited

maximum

junction

temperature

2：L=59mH, IAS=1.2A, VDD=50V, RG=25 Ω, Starting

TJ=25℃

3 ： ISD ≤1.2A,di/dt ≤200A/μs,VDD≤BVDSS, Starting

TJ=25℃

4：Pulse Test：

Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2％

5：Essentially independent of operating temperature

JCS1SN60RC-O-R-N-B Datasheet(PDF) 4 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

JCS1SN60RC-O-R-N-B Datasheet(HTML) 4 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

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