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JCS18N25RC-R-B Datasheet(PDF) 2 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

No. de pieza JCS18N25RC-R-B
Descripción Electrónicos  N-CHANNEL MOSFET
PDF  11 Pages
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Fabricante Electrónico  JSMC [JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.]
Página de inicio  http://www.hwdz.com.cn
Logo JSMC - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

JCS18N25RC-R-B Datasheet(HTML) 2 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

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background image
JCS18N25C
R
版本：202005B
2/11
绝对最大额定值
ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
项
目
Parameter
符
号
Symbol
数
值
Value
单
位
Unit
JCS18N25VC/RC/CC
JCS18N25FC
最高漏极－源极直流电压
Drain-Source Voltage
VDSS
250
V
连续漏极电流
Drain Current
-continuous
ID T=25
℃
T=100
℃
18
A
10.97*
A
最大脉冲漏极电流（注 1）
Drain Current - pulse
（note 1）
IDM
72
A
最高栅源电压
Gate-Source Voltage
VGSS
±30
V
单脉冲雪崩能量（注 2）
Single Pulsed Avalanche Energy（note
2）
EAS
607.5
mJ
雪崩电流（注 1）
Avalanche Current（note 1）
IAR
18
A
重复雪崩能量（注 1）
Repetitive Avalanche Current（note 1）
EAR
3.21
mJ
二极管反向恢复最大电压变化速率（注
3）
Peak Diode Recovery dv/dt（note 3）
dv/dt
4.3
V/ns
耗散功率
Power Dissipation
PD
TC=25
℃
-Derate
above
25℃
120
32.13
W
0.96
0.257
W/℃
最高结温及存储温度
Operating and Storage Temperature
Range
TJ，TSTG
-55～+150
℃
引线最高焊接温度
Maximum Lead Temperature for
Soldering Purposes
TL
300
℃
*漏极电流由最高结温限制
*Drain current limited by maximum junction temperature



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