JCS640H datasheet(4/12 Pages) JSMC

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JCS640H

版本：201510B

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电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS

热特性 THERMAL CHARACTERISTIC

项

目

Parameter

符

号

Symbol

最大值

Value

单

位

Unit

JCS640VH/RH/CH

JCS640FH

结到管壳的热阻 Thermal Resistance,

Junction to Case

Rth(j-c)

0.89

2.85

℃/W

结到环境的热阻 Thermal Resistance,

Junction to Ambient

Rth(j-A)

62.5

℃/W

项

目

Parameter

符

号

Symbol

测试条件

Tests conditions

最小

Min

典型

Typ

最大

Max

单位

Units

开关特性 Switching –Characteristics

延迟时间 Turn-On delay time

td(on)

VDD=100V,ID=18A,RG=25Ω

VGS =10V

（note 4，5）

15.2 21

上升时间 Turn-On rise time

38.7 54

延迟时间 Turn-Off delay time

td(off)

46.4 65

下降时间 Turn-Off Fall time

12.8 18

栅极电荷总量 Total Gate Charge

VDS =160V ,

ID=18A

VGS =10V（note 4，5）

27.5 36

栅－源电荷 Gate-Source charge

Qgs

5.7

栅－漏电荷 Gate-Drain charge

Qgd

10.8

漏－源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings

正向最大连续电流

Maximum Continuous Drain-Source

Diode Forward Current

正向最大脉冲电流

Maximum Pulsed Drain-Source Diode

Forward Current

ISM

正向最大连续电流

Maximum Continuous Drain-Source

Diode Forward Current

VSD

VGS=0V, IS=18A

1.4

反向恢复时间

Reverse recovery time

trr

VGS=0V, IS=18A

dIF/dt=100A/μs (note 4)

224

反向恢复电荷

Reverse recovery charge

Qrr

1.38

μC

注：

1：脉冲宽度由最高结温限制

2：L=1.6mH, IAS=18A, VDD=50V,

RG=25 Ω,起始结温

TJ=25℃

3：ISD ≤18A,di/dt ≤200A/μs, VDD≤BVDSS,起始结温 TJ=25℃

4：脉冲测试：脉冲宽度≤300μs,占空比≤2％

5：基本与工作温度无关

Notes:

1：Pulse width limited by maximum junction temperature

2：L=1.6mH, IAS=18A, VDD=50V, RG=25 Ω,Starting

TJ=25℃

3：ISD ≤18A,di/dt ≤200A/μs, VDD≤BVDSS, Starting TJ=25℃

4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs, Duty Cycle≤2％

5：Essentially independent of operating temperature

JCS640H Datasheet(PDF) 4 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

JCS640H Datasheet(HTML) 4 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

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