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2SJ406 Datasheet (PDF) - Sanyo Semicon Device
2SJ406 Datasheet PDF - Sanyo Semicon Device
No. de pieza 2SJ406
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Fabricante Electrónico  SANYO [Sanyo Semicon Device]
Página de inicio  https://www.sanyo-av.com/us/
Logo SANYO - Sanyo Semicon Device
Descripción Electrónicos P- Channel Silicon MOS FET Very High-Speed Switching Applications

2SJ406 Datasheet (PDF)

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No. de pieza 2SJ406
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Fabricante Electrónico  SANYO [Sanyo Semicon Device]
Página de inicio  https://www.sanyo-av.com/us/
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Descripción Electrónicos P- Channel Silicon MOS FET Very High-Speed Switching Applications

2SJ406 Datasheet (HTML) - Sanyo Semicon Device


2SJ406 Detalles de producto

Features and Applications

• Low ON-state resistance.

• Very high-speed switching.

• Low-voltage dreve.

• Micaless package facilitating easy mounting.




Número de pieza similar - 2SJ406

Fabricante ElectrónicoNo. de piezaDatasheetDescripción Electrónicos
logo
Sanyo Semicon Device		 2SJ400 SANYO-2SJ400 Datasheet
43Kb / 4P		 Ultrahigh-Speed Switching Applications
logo
Toshiba Semiconductor		 2SJ401 TOSHIBA-2SJ401 Datasheet
286Kb / 5P		 P CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED, HIGH CURRENT SWITCHING, DC-DC CONVERTER, RELAY DRIVE AND MOTOR DRIVE APPLICATIONS)
2SJ401 TOSHIBA-2SJ401 Datasheet
784Kb / 6P		 DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications
2SJ401 TOSHIBA-2SJ401 Datasheet
461Kb / 6P		 DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications
2SJ401 TOSHIBA-2SJ401 Datasheet
1Mb / 73P		 Bipolar Small-Signal Transistors
More results


Descripción similar - 2SJ406

Fabricante ElectrónicoNo. de piezaDatasheetDescripción Electrónicos
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Hitachi Semiconductor		 2SJ574 HITACHI-2SJ574 Datasheet
39Kb / 8P		 Silicon P Channel MOS FET High Speed Switching
2SJ575 HITACHI-2SJ575 Datasheet
39Kb / 8P		 Silicon P Channel MOS FET High Speed Switching
2SJ576 HITACHI-2SJ576 Datasheet
27Kb / 5P		 Silicon P Channel MOS FET High Speed Switching
2SJ587 HITACHI-2SJ587 Datasheet
39Kb / 8P		 Silicon P Channel MOS FET High Speed Switching
2SJ588 HITACHI-2SJ588 Datasheet
26Kb / 5P		 Silicon P Channel MOS FET High Speed Switching
logo
Sanyo Semicon Device		 2SK2618LS SANYO-2SK2618LS Datasheet
9Kb / 1P		 N- Channel MOS Silicon FET Very High-Speed Switching Applications
logo
Renesas Technology Corp		 2SJ574 RENESAS-2SJ574 Datasheet
58Kb / 10P		 Silicon P Channel MOS FET High Speed Switching
2SJ575 RENESAS-2SJ575 Datasheet
167Kb / 10P		 Silicon P Channel MOS FET High Speed Switching
2SJ586 RENESAS-2SJ586 Datasheet
158Kb / 10P		 Silicon P Channel MOS FET High Speed Switching
2SJ574 RENESAS-2SJ574_11 Datasheet
99Kb / 7P		 Silicon P Channel MOS FET High Speed Switching
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Acerca de Sanyo Semicon Device

Sanyo Semiconductor Device Corporation, o dispositivo Sanyo Semicon, fue una subsidiaria de Sanyo Electric Co., Ltd., una compañía de electrónica japonesa. El dispositivo Sanyo Semicon era un fabricante de dispositivos semiconductores, incluidos diodos, transistores y otros componentes para la electrónica de consumo, las aplicaciones automotrices e industriales. La compañía se estableció en 1970 y tuvo su sede en Osaka, Japón.

El dispositivo Sanyo Semicon era conocido por sus productos de alta calidad y su compromiso de satisfacer las necesidades de sus clientes. La compañía tuvo un fuerte enfoque en la investigación y el desarrollo y participó en el desarrollo de nuevas tecnologías y productos para la industria de los semiconductores. Los productos del dispositivo Sanyo Semicon se usaron ampliamente en una variedad de aplicaciones y ayudaron a apoyar el crecimiento de la industria electrónica.

En 2010, Sanyo Electric fue adquirido por Panasonic Corporation, una compañía líder global de electrónica. Como resultado, el dispositivo Sanyo Semicon se convirtió en una subsidiaria de Panasonic y se integró en su negocio de semiconductores. La adquisición permitió a Panasonic expandir su cartera de productos y ofertas en el mercado de semiconductores y fortalecer aún más su posición en la industria electrónica.

*Esta información es solo para fines informativos generales, no seremos responsables de ninguna pérdida o daño causado por la información anterior.




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