2SJ587 Datasheet(PDF) - Hitachi Semiconductor

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2SJ587 Datasheet (PDF) - Hitachi Semiconductor

2SJ587 Datasheet PDF - Hitachi Semiconductor


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Silicon P Channel MOS FET High Speed Switching

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2SJ587 Detalles de producto

Features
• Low on-resistance
RDS = 8.5 Ω typ. (VGS = -4 V , ID = -25 mA)
RDS = 15 typ. (VGS = -2.5 V , ID = -10 mA)
• 2.5 V gate drive device.
• Small package (SMPAK)

Número de pieza similar - 2SJ587

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Sanyo Semicon Device	2SJ580	29Kb / 4P	Ultrahigh-Speed Switching Applications
	2SJ583	42Kb / 4P	Ultrahigh-Speed Switching Applications
	2SJ583LS	42Kb / 4P	Ultrahigh-Speed Switching Applications
	2SJ584LS	42Kb / 4P	Ultrahigh-Speed Switching Applications
	2SJ585LS	42Kb / 4P	Ultrahigh-Speed Switching Applications

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Renesas Technology Corp	2SJ574	58Kb / 10P	Silicon P Channel MOS FET High Speed Switching
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	2SJ574	244Kb / 8P	Silicon P Channel MOS FET High Speed Switching

Acerca de Hitachi Semiconductor

Hitachi Semiconductor es una subsidiaria de Hitachi, Ltd., una compañía japonesa que se especializa en el diseño y fabricación de semiconductores.
La compañía se estableció en 1970 y tiene su sede en Tokio, Japón.
Hitachi Semiconductor ofrece una amplia gama de productos que incluyen productos de memoria, microcontroladores, ICS de administración de energía y otros semiconductores analógicos y digitales.
Los productos de la compañía se utilizan en diversas aplicaciones, como la electrónica de consumo, los sistemas automotrices y los equipos industriales.
Hitachi Semiconductor es conocido por su experiencia en tecnología de semiconductores y su capacidad para ofrecer productos confiables y de alta calidad a sus clientes.
La compañía tiene operaciones e instalaciones en varios países de todo el mundo y trabaja en estrecha colaboración con sus clientes para proporcionar soluciones de semiconductores personalizadas que satisfagan sus requisitos y necesidades específicas.

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