MM118-XX Datasheet(PDF) - Microsemi Corporation

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MM118-XX Datasheet (PDF) - Microsemi Corporation

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Fabricante Electrónico	MICROSEMI [Microsemi Corporation]

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3 PHASE N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR IGBT BRIDGE

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Descripción Electrónicos	3 PHASE N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR IGBT BRIDGE

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MM118-XX Detalles de producto

Features
● Available in Low Conduction Loss Class as MM118-xxL or Fast Switching Class as MM118-xxF
● Compact and rugged construction offering weight and space savings
● Available with PC board solderable pins (see mechanical outline below) or threaded terminals (add “T”suffix to part number, see option below)
● HPM (Hermetic Power Module)
● Isolation voltage capability (in reference to the base) in excess of 3kV · Very low thermal resistance
● Thermally matched construction provides excellent temperature and power cycling capability
● Additional voltage ratings or terminations available upon request

Número de pieza similar - MM118-XX

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Mitsumi Electronics, Co...	MM1180	104Kb / 5P	Low-Noise, Low-Satulation Three-Pin Regulator
	MM1181	104Kb / 5P	Low-Noise, Low-Satulation Three-Pin Regulator
	MM1186	103Kb / 4P	Video Amplifier Monolithic IC
	MM1188	117Kb / 5P	3-Input 1-Output Video Switch (with Y-C mix)
	MM1188	119Kb / 5P	3-Input 1-Output Video Switch (with Y-C mix) Monolithic IC

Descripción similar - MM118-XX

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Toshiba Semiconductor	GT30J324	166Kb / 7P	Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
	GT40T301	311Kb / 6P	Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
	GT20J101	259Kb / 6P	TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
	GT8G132	338Kb / 6P	TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
	GT15M321	269Kb / 6P	TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT
	GT60M322	191Kb / 6P	TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
	GT60M323	193Kb / 6P	TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
	GT40T302	173Kb / 6P	Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
	GT60M303	426Kb / 6P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT
	GT60N321	173Kb / 6P	Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

Acerca de Microsemi Corporation

Microsemi Corporation era una empresa estadounidense especializada en el diseño y fabricación de soluciones de semiconductores y sistemas.
La compañía fue fundada en 1960 y tenía su sede en Aliso Viejo, California.
Microsemi proporcionó una amplia gama de productos que incluyen circuitos integrados analógicos y de señal mixta, matrices de compuertas programables de campo (FPGA), productos de gestión y control de energía, y otras soluciones de semiconductores.
Los productos de la compañía se utilizaron en diversas aplicaciones, como defensa y seguridad, aeroespacial y aviación, industrial y comunicaciones.
Microsemi era conocido por su experiencia en tecnología de semiconductores y su capacidad para ofrecer productos confiables y de alta calidad a sus clientes.
En 2018, Microsemi fue adquirido por Microchip Technology, un proveedor líder de productos microcontroladores, señal mixtos, analógicos y de seguridad.
La marca Microsemi ya no está en uso, pero su tecnología y productos continúan siendo parte de la cartera de Microchip.

*Esta información es solo para fines informativos generales, no seremos responsables de ninguna pérdida o daño causado por la información anterior.

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