IRF9540 Datasheet(PDF) - International Rectifier

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IRF9540 Datasheet (PDF) - International Rectifier

IRF9540 Datasheet PDF - International Rectifier


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Fabricante Electrónico	IRF [International Rectifier]

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Descripción Electrónicos

Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A)

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IRF9540 Detalles de producto

Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry.

● Advanced Process Technology
● Dynamic dv/dt Rating
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● P-Channel
● Fully Avalanche Rated

Número de pieza similar - IRF9540

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Samsung semiconductor	IRF9540	508Kb / 12P	P-CHANNEL POWER MOSFETS
Intersil Corporation	IRF9540	59Kb / 7P	19A, 100V, 0.200 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
Harris Corporation	IRF9540	424Kb / 7P	P-CHANNEL POWER MOSFETS
Samsung semiconductor	IRF9540	381Kb / 6P	P-CHANNEL POWER MOSFETS
Vishay Siliconix	IRF9540	1Mb / 8P	Power MOSFET Rev. A, 20-Jun-08

Descripción similar - IRF9540

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
International Rectifier	IRFP9140N	142Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A)
	IRF9540NS	187Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A)
	IRF5NJ9540	117Kb / 7P	POWER MOSFET P-CHANNEL(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-18A)
	IRF5Y9540CM	105Kb / 7P	POWER MOSFET P-CHANNEL(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-18A)
	IRF5EA1310	238Kb / 7P	POWER MOSFET N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=23A)
	IRF9540NSPBF	331Kb / 11P	HEXFET POWER MOSFET (VDSS = -100V , RDS(on) = 117m廓 , ID = -23A )
	IRFP360	164Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.20ohm, Id=23A)
	IRFP254N	222Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=125mohm, Id=23A)
	IRFP360LC	343Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.20ohm, Id=23A)
	IRFP23N50L	104Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.190ohm, Id=23A)

Acerca de International Rectifier

International Rectifier (IR) era una empresa estadounidense especializada en el diseño y fabricación de semiconductores de control de energía y control de energía.
La compañía fue fundada en 1947 y tuvo sede en El Segundo, California.
IR proporcionó una amplia gama de productos que incluyen ICS de administración de energía, MOSFET de energía, IGBT y otros productos de control de energía.
Los productos de la compañía se utilizaron en diversas aplicaciones, como informática, telecomunicaciones y automatización industrial.
IR era conocido por su experiencia en gestión de energía y tecnología de control y su capacidad para ofrecer productos confiables y de alta calidad a sus clientes.
En 2014, IR fue adquirido por Infineon Technologies, un proveedor líder de productos de gestión y control de energía y otras soluciones de semiconductores.
La marca internacional de rectificadores ya no está en uso, pero su tecnología y productos continúan siendo parte de la cartera de Infineon.

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