IRFP9140N Datasheet(PDF) - International Rectifier

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IRFP9140N Datasheet (PDF) - International Rectifier

IRFP9140N Datasheet PDF - International Rectifier


No. de pieza	IRFP9140N

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Fabricante Electrónico	IRF [International Rectifier]

Página de inicio	http://www.irf.com

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Descripción Electrónicos

Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A)

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No. de pieza	IRFP9140N

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Fabricante Electrónico	IRF [International Rectifier]

Página de inicio	http://www.irf.com

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Descripción Electrónicos	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A)

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IRFP9140N Detalles de producto

Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
The TO-247 package is preferred for commercial industrial applications where higher power levels preclude the use of TO-220 devices. The TO-247 is similar but superior to the earlier TO-218 package because of its isolated mounting hole.

● Advanced Process Technology
● Dynamic dv/dt Rating
● 175°C Operating Temperature
● P-Channel
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated

Número de pieza similar - IRFP9140N

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Inchange Semiconductor ...	IRFP9140N	327Kb / 2P	isc P-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRFP9140NPBF	240Kb / 9P	HEXFET짰 Power MOSFET
	IRFP9140NPBF	241Kb / 9P	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY
	IRFP9140NPBF	241Kb / 9P	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

Descripción similar - IRFP9140N

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
International Rectifier	IRF9540N	125Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A)
	IRF9540NS	187Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A)
	IRF5NJ9540	117Kb / 7P	POWER MOSFET P-CHANNEL(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-18A)
	IRF5Y9540CM	105Kb / 7P	POWER MOSFET P-CHANNEL(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-18A)
	IRF5EA1310	238Kb / 7P	POWER MOSFET N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=23A)
	IRF9540NSPBF	331Kb / 11P	HEXFET POWER MOSFET (VDSS = -100V , RDS(on) = 117m廓 , ID = -23A )
	IRFP360	164Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.20ohm, Id=23A)
	IRFP254N	222Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=125mohm, Id=23A)
	IRFP360LC	343Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.20ohm, Id=23A)
	IRFP23N50L	104Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.190ohm, Id=23A)

Acerca de International Rectifier

International Rectifier (IR) era una empresa estadounidense especializada en el diseño y fabricación de semiconductores de control de energía y control de energía.
La compañía fue fundada en 1947 y tuvo sede en El Segundo, California.
IR proporcionó una amplia gama de productos que incluyen ICS de administración de energía, MOSFET de energía, IGBT y otros productos de control de energía.
Los productos de la compañía se utilizaron en diversas aplicaciones, como informática, telecomunicaciones y automatización industrial.
IR era conocido por su experiencia en gestión de energía y tecnología de control y su capacidad para ofrecer productos confiables y de alta calidad a sus clientes.
En 2014, IR fue adquirido por Infineon Technologies, un proveedor líder de productos de gestión y control de energía y otras soluciones de semiconductores.
La marca internacional de rectificadores ya no está en uso, pero su tecnología y productos continúan siendo parte de la cartera de Infineon.

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