IRF1310S Datasheet(PDF) - International Rectifier

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IRF1310S Datasheet (PDF) - International Rectifier

IRF1310S Datasheet PDF - International Rectifier


No. de pieza	IRF1310S

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Tamaño del archivo	361.9 Kbytes

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Fabricante Electrónico	IRF [International Rectifier]

Página de inicio	http://www.irf.com

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Descripción Electrónicos

Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.04ohm, Id=41A)

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No. de pieza	IRF1310S

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Fabricante Electrónico	IRF [International Rectifier]

Página de inicio	http://www.irf.com

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Descripción Electrónicos	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.04ohm, Id=41A)

IRF1310S Datasheet (HTML) - International Rectifier

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IRF1310S Detalles de producto

VDSS = 100V
RDS(on) = 0.04Ω
ID = 41A

Description
Fourth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications.

● Advanced Process Technology
● Ultra Low On-Resistance
● Surface Mount
● Available in Tape & Reel
● Dynamic dv/dt Rating
● Repetitive Avalanche Rated
● 175°C Operating Temperature

Número de pieza similar - IRF1310S

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
International Rectifier	IRF1310N	96Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=42A)
Inchange Semiconductor ...	IRF1310N	338Kb / 2P	N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF1310NL	156Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=42A)
Kersemi Electronic Co.,...	IRF1310NL	1Mb / 10P	Advanced Process Technology
Inchange Semiconductor ...	IRF1310NL	300Kb / 2P	Isc N-Channel MOSFET Transistor

Descripción similar - IRF1310S

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
International Rectifier	IRC540	222Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.077ohm, Id=28A)
	IRF1310N	96Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=42A)
	IRF3515S	126Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.045ohm, Id=41A)
	IRF3710S	184Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025ohm, Id=57A)
	IRF520VS	129Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.165ohm, Id=9.6A)
	IRFB41N15D	193Kb / 11P	Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.045ohm, Id=41A)
	IRFI1310G	361Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.04ohm, Id=22A)
	IRFIZ34N	105Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.04ohm, Id=21A)
	IRFP260N	122Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.04ohm, Id=50A)
	IRFRU5410	215Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.205ohm, Id=-13A)

Acerca de International Rectifier

International Rectifier (IR) era una empresa estadounidense especializada en el diseño y fabricación de semiconductores de control de energía y control de energía.
La compañía fue fundada en 1947 y tuvo sede en El Segundo, California.
IR proporcionó una amplia gama de productos que incluyen ICS de administración de energía, MOSFET de energía, IGBT y otros productos de control de energía.
Los productos de la compañía se utilizaron en diversas aplicaciones, como informática, telecomunicaciones y automatización industrial.
IR era conocido por su experiencia en gestión de energía y tecnología de control y su capacidad para ofrecer productos confiables y de alta calidad a sus clientes.
En 2014, IR fue adquirido por Infineon Technologies, un proveedor líder de productos de gestión y control de energía y otras soluciones de semiconductores.
La marca internacional de rectificadores ya no está en uso, pero su tecnología y productos continúan siendo parte de la cartera de Infineon.

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