IRF1310N Datasheet(PDF) - International Rectifier

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IRF1310N Datasheet (PDF) - International Rectifier

IRF1310N Datasheet PDF - International Rectifier


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Fabricante Electrónico	IRF [International Rectifier]

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Descripción Electrónicos

Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=42A)

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Fabricante Electrónico	IRF [International Rectifier]

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Descripción Electrónicos	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=42A)

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IRF1310N Detalles de producto

Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry.

● Advanced Process Technology
● Dynamic dv/dt Rating
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated

Número de pieza similar - IRF1310N

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Inchange Semiconductor ...	IRF1310N	338Kb / 2P	N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF1310NL	156Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=42A)
Kersemi Electronic Co.,...	IRF1310NL	1Mb / 10P	Advanced Process Technology
Inchange Semiconductor ...	IRF1310NL	300Kb / 2P	Isc N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF1310NLPBF	725Kb / 11P	HEXFET Power MOSFET

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	IRF5EA1310	238Kb / 7P	POWER MOSFET N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=23A)
	IRFI1310N	104Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=24A)
	IRFP150N	135Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.035W, Id=42A)
	IRFR2407	129Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=75V, Rds(on)=0.026ohm, Id=42A??
	IRFR4104	182Kb / 11P	Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=5.5mohm, Id=42A)
	IRFRU5410	215Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.205ohm, Id=-13A)
	IRFR2905ZPBF	278Kb / 12P	HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 14.5m廓 , ID = 42A )
	IRFR4104PBF	273Kb / 12P	HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 40V , RDS(on) = 5.5m廓 , ID = 42A )

Acerca de International Rectifier

International Rectifier (IR) era una empresa estadounidense especializada en el diseño y fabricación de semiconductores de control de energía y control de energía.
La compañía fue fundada en 1947 y tuvo sede en El Segundo, California.
IR proporcionó una amplia gama de productos que incluyen ICS de administración de energía, MOSFET de energía, IGBT y otros productos de control de energía.
Los productos de la compañía se utilizaron en diversas aplicaciones, como informática, telecomunicaciones y automatización industrial.
IR era conocido por su experiencia en gestión de energía y tecnología de control y su capacidad para ofrecer productos confiables y de alta calidad a sus clientes.
En 2014, IR fue adquirido por Infineon Technologies, un proveedor líder de productos de gestión y control de energía y otras soluciones de semiconductores.
La marca internacional de rectificadores ya no está en uso, pero su tecnología y productos continúan siendo parte de la cartera de Infineon.

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