IXKC25N80C Datasheet(PDF) - IXYS Corporation

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IXKC25N80C Datasheet (PDF) - IXYS Corporation

IXKC25N80C Datasheet PDF - IXYS Corporation


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Fabricante Electrónico	IXYS [IXYS Corporation]

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Descripción Electrónicos

N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, high VDSS MOSFET Electrically Isolated Back Surface

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IXKC25N80C Datasheet (HTML) - IXYS Corporation

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IXKC25N80C Detalles de producto

N-Channel Enhancement Mode
Low RDSon, high VDSS MOSFET
Electrically Isolated Back Surface

Features
• Silicon chip on Direct-Copper-Bond substrate
   - high power dissipation
   - isolated mounting surface
   - 2500 V electrical isolation
• 3rd generation CoolMOS™ 1) power MOSFET
   - high blocking capability
   - lowest resistance
   - avalanche rated for unclamped inductive switching (UIS)
• Low thermal resistance due to reduced chip thickness
• Low drain to tab capacitance (<30 pF)

Applications
• Switched mode power supplies (SMPS)
• Uninterruptible power supplies (UPS)
• Power factor correction (PFC)
• Welding
• Inductive heating

Advantages
• Easy assembly: no screws or isolation foils required
• Space savings
• High power density

Número de pieza similar - IXKC25N80C

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
IXYS Corporation	IXKC20N60C	520Kb / 2P	CoolMOS Power MOSFET in ISOPLUS220 Package
Inchange Semiconductor ...	IXKC20N60C	305Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
IXYS Corporation	IXKC23N60C5	290Kb / 4P	CoolMOS Power MOSFET
Inchange Semiconductor ...	IXKC23N60C5	306Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor

Descripción similar - IXKC25N80C

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
IXYS Corporation	IXFR38N80Q2	568Kb / 5P	Electrically Isolated Back Surface
	IXKH30N60C5	112Kb / 4P	CoolMOS Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Low Rdson, High Vdss MOSFET
	IXKH35N60C5	114Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, High VDSS MOSFET Ultra low gate charge
	IXUC100N055	575Kb / 2P	Electrically Isolated Back Surface
	IXKC15N60C5	119Kb / 4P	Electrically isolated back surface Electrically isolated back surface
	IXGC16N60B2	92Kb / 2P	Electrically Isolated Back Surface
	DSS20-01AC	121Kb / 4P	Electrically Isolated Back Surface
	DSEE8-06CC	65Kb / 2P	Electrically Isolated Back Surface
	IXKC19N60C5	120Kb / 4P	Electrically isolated back surface 2500 V electrical isolation N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, high VDSS MOSFET Ultra low gate charge
	IXKR47N60C5	137Kb / 4P	Electrically isolated back surface 2500 V electrical isolation N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, high VDSS MOSFET Ultra low gate charge

Acerca de IXYS Corporation

IXYS Corporation es una compañía de tecnología que se especializa en el diseño, fabricación y venta de semiconductores de energía y circuitos integrados (ICS). La compañía fue fundada en 1983 y tiene su sede en Milpitas, California. IXYS tiene una presencia global, con operaciones y clientes en más de 60 países de todo el mundo.

IXYS proporciona una amplia gama de productos y soluciones, que incluyen MOSFET de potencia, transistores bipolares de potencia, tiristores, diodos e ICS para aplicaciones de gestión y control de energía. Los productos de la compañía se utilizan en una variedad de aplicaciones, que incluyen energía renovable, industrial, automotriz y electrónica de consumo.

IXYS es conocido por su experiencia en tecnología de semiconductores de energía y su capacidad para proporcionar soluciones de alto rendimiento y rentables a sus clientes. La compañía está comprometida con la innovación, la investigación y el desarrollo y participa activamente en el desarrollo de nuevas tecnologías y soluciones para el mercado de semiconductores de poder. IXYS es un líder reconocido en el mercado de semiconductores de poder y continúa brindando productos y servicios de alta calidad a sus clientes.

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