RJK03N2DPA Datasheet(PDF) - Renesas Technology Corp

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Fabricante Electrónico	RENESAS [Renesas Technology Corp]

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30V, 40A, 4.0m max Built in SBD N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching

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Descripción Electrónicos	30V, 40A, 4.0m max Built in SBD N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching

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Número de pieza similar - RJK03N2DPA

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Renesas Technology Corp	RJK03N0DPA	225Kb / 7P	30V, 45A, 2.4m max. Built in SBD N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching
	RJK03N0DPA-00-J5A	225Kb / 7P	30V, 45A, 2.4m max. Built in SBD N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching
	RJK03N1DPA	182Kb / 7P	30V, 45A, 3.0m max. Built in SBD N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching
	RJK03N1DPA-00-J5A	182Kb / 7P	30V, 45A, 3.0m max. Built in SBD N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching
	RJK03N3DPA	193Kb / 7P	30V, 35A, 4.7m max. Built in SBD N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching

Descripción similar - RJK03N2DPA

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Renesas Technology Corp	RJK0204DPA	125Kb / 7P	Built in SBD N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching
	RJK0208DPA	125Kb / 7P	Built in SBD N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching
	RJK03E5DPA	141Kb / 7P	Built in SBD N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching
	RJK03E6DPA	141Kb / 7P	Built in SBD N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching
	RJK03N0DPA	225Kb / 7P	30V, 45A, 2.4m max. Built in SBD N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching
	RJK03N1DPA	182Kb / 7P	30V, 45A, 3.0m max. Built in SBD N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching
	RJK03N3DPA	193Kb / 7P	30V, 35A, 4.7m max. Built in SBD N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching
	RJK03N4DPA	210Kb / 7P	30V, 45A, 2.4m max. Built in SBD N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching
	RJK03N5DPA	183Kb / 7P	30V, 45A, 2.9m max. Built in SBD N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching
	RJK03N6DPA	206Kb / 7P	30V, 40A, 3.8m max. Built in SBD N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching

Acerca de Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp es una compañía de semiconductores japoneses que proporciona una amplia gama de microcontroladores, sistemas a chips y dispositivos analógicos y de energía para diversas aplicaciones en los mercados automotrices, industriales y de consumo.
La compañía se formó en 2010 a través de la fusión de NEC Electronics Corporation y Renesas Technology Corporation.
Renesas es uno de los mayores proveedores de microcontroladores del mundo y es conocido por su experiencia en el desarrollo de tecnologías avanzadas en áreas como Internet de las cosas (IoT), inteligencia artificial (IA) y electrónica automotriz.
La compañía tiene operaciones en más de 20 países y sus productos se utilizan en una amplia gama de aplicaciones.

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