2SD553 Datasheet(PDF)

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2SD553 Datasheet (PDF) - Inchange Semiconductor Company Limited


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Fabricante Electrónico	ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]

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Descripción Electrónicos

Silicon NPN Power Transistors

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2SD553 Detalles de producto

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·Complement to type 2SB553

·Low collector saturation voltage

APPLICATIONS

·High current switching applications

·Power amplifier applications

Número de pieza similar - 2SD553

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Toshiba Semiconductor	2SD553	216Kb / 4P	NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (HIGH CURRENT SWITCHING, POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)
Savantic, Inc.	2SD553	152Kb / 4P	Silicon NPN Power Transistors

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Bourns Electronic Solut...	BD241	107Kb / 5P	NPN SILICON POWER TRANSISTORS
Bourns Electronic Solut...	BU426	129Kb / 6P	NPN SILICON POWER TRANSISTORS
Inchange Semiconductor ...	S2055A	40Kb / 3P	Silicon NPN Power Transistors
	2SC3182N	168Kb / 4P	Silicon NPN Power Transistors
	2SC4690	85Kb / 4P	Silicon NPN Power Transistors
Savantic, Inc.	2SC2497	107Kb / 3P	Silicon NPN Power Transistors
	2SC2517	104Kb / 3P	Silicon NPN Power Transistors
	2SC2562	143Kb / 5P	Silicon NPN Power Transistors
	2SC2577	136Kb / 3P	Silicon NPN Power Transistors

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Acerca de Inchange Semiconductor Company Limited

Inchange Semiconductor Company Limited es una compañía de semiconductores chino que fue fundada en 1997.

La compañía ofrece una amplia gama de productos que incluyen dispositivos de energía discretos y analógicos, y diodos para diversas aplicaciones en los mercados automotrices, industriales y de consumo.

Inchange es conocido por su enfoque en la calidad y la confiabilidad, y sus productos se utilizan ampliamente en la gestión de energía, la iluminación y otras aplicaciones.

La compañía tiene operaciones en varios países y es uno de los principales proveedores de dispositivos de energía y diodos en la región de Asia y el Pacífico.

*Esta información es solo para fines informativos generales, no seremos responsables de ninguna pérdida o daño causado por la información anterior.

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