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IRF7831PBF Datasheet (PDF) - International Rectifier
IRF7831PBF Datasheet PDF - International Rectifier
No. de pieza IRF7831PBF
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Tamaño del archivo   264.62 Kbytes
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Fabricante Electrónico  IRF [International Rectifier]
Página de inicio  http://www.irf.com
Logo IRF - International Rectifier
Descripción Electrónicos HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 30V , RDS(on)max = 3.6m廓@VGS = 10V , Qg(typ.) = 40nC )

IRF7831PBF Datasheet (PDF)

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Descripción Electrónicos HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 30V , RDS(on)max = 3.6m廓@VGS = 10V , Qg(typ.) = 40nC )

IRF7831PBF Datasheet (HTML) - International Rectifier


IRF7831PBF Detalles de producto

Applications

• High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in Networking & Computing Systems.



Benefits

• Very Low RDS(on) at 4.5V VGS

• Ultra-Low Gate Impedance

• Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

• 100% Tested for RG

• Lead-Free



 




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Acerca de International Rectifier

International Rectifier (IR) era una empresa estadounidense especializada en el diseño y fabricación de semiconductores de control de energía y control de energía.
La compañía fue fundada en 1947 y tuvo sede en El Segundo, California.
IR proporcionó una amplia gama de productos que incluyen ICS de administración de energía, MOSFET de energía, IGBT y otros productos de control de energía.
Los productos de la compañía se utilizaron en diversas aplicaciones, como informática, telecomunicaciones y automatización industrial.
IR era conocido por su experiencia en gestión de energía y tecnología de control y su capacidad para ofrecer productos confiables y de alta calidad a sus clientes.
En 2014, IR fue adquirido por Infineon Technologies, un proveedor líder de productos de gestión y control de energía y otras soluciones de semiconductores.
La marca internacional de rectificadores ya no está en uso, pero su tecnología y productos continúan siendo parte de la cartera de Infineon.

*Esta información es solo para fines informativos generales, no seremos responsables de ninguna pérdida o daño causado por la información anterior.




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