IRFR9024NPBF Datasheet(PDF) - International Rectifier

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IRFR9024NPBF Datasheet (PDF) - International Rectifier

IRFR9024NPBF Datasheet PDF - International Rectifier


No. de pieza	IRFR9024NPBF

Descarga	IRFR9024NPBF Descarga

Tamaño del archivo	1388.67 Kbytes

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Fabricante Electrónico	IRF [International Rectifier]

Página de inicio	http://www.irf.com

Logo

Descripción Electrónicos

HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = -55V , RDS(on) = 0.175廓 , ID = -11A )

IRFR9024NPBF Datasheet (PDF)

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No. de pieza	IRFR9024NPBF

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Fabricante Electrónico	IRF [International Rectifier]

Página de inicio	http://www.irf.com

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Descripción Electrónicos	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = -55V , RDS(on) = 0.175廓 , ID = -11A )

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IRFR9024NPBF Detalles de producto

Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

● Ultra Low On-Resistance
● P-Channel
● Surface Mount (IRFR9024N)
● Straight Lead (IRFU9024N)
● Advanced Process Technology
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated
● Lead-Free

Número de pieza similar - IRFR9024NPBF

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Kersemi Electronic Co.,...	IRFR9024NPBF	4Mb / 10P	ULTRA LOW ON-ORSISTANCE
International Rectifier	IRFR9024NPBF	1Mb / 11P	Ultra Low On-Resistance
Kersemi Electronic Co.,...	IRFR9024NPBF	4Mb / 10P	ULTRA LOW ON-RESISTANCE
International Rectifier	IRFR9024NPBF	1Mb / 11P	Ultra Low On-Resistance
International Rectifier	IRFR9024NPBF	1Mb / 11P	ULTRA LOW ON RESISTANCE

Descripción similar - IRFR9024NPBF

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
International Rectifier	IRFRU9024N	117Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-11A)
	IRFZ46N	190Kb / 9P	HEXFET짰 Power MOSFET(VDSS = 55V,RDS(on) = 16.5m廓,ID = 53A)
	IRLZ44ZPBF	362Kb / 13P	AUTOMOTIVE MOSFET (VDSS = 55V , RDS(on) =13.5m廓 , ID = 51A)
	IRLZ34NSPBF	297Kb / 11P	HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 0.035廓 , ID = 30A )
	IRF1405ZPBF	812Kb / 13P	AUTOMOTIVE MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 4.9m廓 , ID = 75A )
	IRLR014NPBF	281Kb / 11P	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 0.14廓 , ID = 10A )
	IRLL2705PBF	220Kb / 9P	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 0.04廓 , ID = 3.8A )
	IRFR5305PBF	248Kb / 11P	HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = -55V , RDS(on) = 0.065廓 , ID = -31A )
	IRFZ44ZPBF	291Kb / 13P	HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 13.9m廓 , ID = 51A )
	IRF1405ZS-7PPBF	696Kb / 12P	HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 4.9m廓 , ID = 120A )

Acerca de International Rectifier

International Rectifier (IR) era una empresa estadounidense especializada en el diseño y fabricación de semiconductores de control de energía y control de energía.
La compañía fue fundada en 1947 y tuvo sede en El Segundo, California.
IR proporcionó una amplia gama de productos que incluyen ICS de administración de energía, MOSFET de energía, IGBT y otros productos de control de energía.
Los productos de la compañía se utilizaron en diversas aplicaciones, como informática, telecomunicaciones y automatización industrial.
IR era conocido por su experiencia en gestión de energía y tecnología de control y su capacidad para ofrecer productos confiables y de alta calidad a sus clientes.
En 2014, IR fue adquirido por Infineon Technologies, un proveedor líder de productos de gestión y control de energía y otras soluciones de semiconductores.
La marca internacional de rectificadores ya no está en uso, pero su tecnología y productos continúan siendo parte de la cartera de Infineon.

*Esta información es solo para fines informativos generales, no seremos responsables de ninguna pérdida o daño causado por la información anterior.

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