IRF7353D2PBF Datasheet(PDF) - International Rectifier

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IRF7353D2PBF Datasheet (PDF) - International Rectifier

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Fabricante Electrónico	IRF [International Rectifier]

Página de inicio	http://www.irf.com

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Descripción Electrónicos

MOSFET / Schottky Diode (VDSS = 30V , RDS(on) = 0.029廓 , Schottky VF = 0.52V)

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Fabricante Electrónico	IRF [International Rectifier]

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Descripción Electrónicos	MOSFET / Schottky Diode (VDSS = 30V , RDS(on) = 0.029廓 , Schottky VF = 0.52V)

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IRF7353D2PBF Detalles de producto

Description
The FETKY™ family of Co-Pack HEXFET® Power MOSFETs and Schottky diodes offers the designer an innovative, board space saving solution for switching regulator and power management applications. Generation 5 HEXFET power MOSFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Combinining this technology with International Rectifiers low forward drop Schottky rectifiers results in an extremely efficient device suitable for use in a wide variety of portable electronics applications.
The SO-8 has been modified through a customized leadframe for enhanced thermal characteristics. The SO-8 package is designed for vapor phase, infrared or wave soldering techniques.

● Co-Pack HEXFET® Power MOSFET and
Schottky Diode
● Ideal For Buck Regulator Applications
● N-Channel HEXFET power MOSFET
● Low VF Schottky Rectifier
● Generation 5 Technology
● SO-8 Footprint
● Lead-Free

Número de pieza similar - IRF7353D2PBF

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
International Rectifier	IRF7353D2	128Kb / 8P	FETKY MOSFET / Schottky Diode

Descripción similar - IRF7353D2PBF

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
International Rectifier	IRF7526D1	120Kb / 8P	FETKY??MOSFET & Schottky Diode(Vdss=-30V, Rds(on)=0.20ohm, Schottky Vf=0.39V)
	IRF7523D1	204Kb / 8P	FETKY??MOSFET / Schottky Diode(Vdss=30V, Rds(on)=0.11ohm, Schottky Vf=0.39V)
	IRF7322D1	174Kb / 8P	MOSFET Schottky Diode ( VDSS = -20V , RDS(on) = 0.058W , Schottky Vf = 0.39V )
	IRF7534D1	106Kb / 8P	FETKY MOSFET & Schottky Diode(Vdss=-20V, Rds(on)=0.055ohm, Schottky Vf=0.39V)
	IRF7524D1	151Kb / 8P	FETKY??MOSFET & Schottky Diode(Vdss=-20V, Rds(on)=0.27ohm, Schottky Vf=0.39V)
	IRF7521D1	177Kb / 8P	FETKY??MOSFET / Schottky Diode(Vdss=20V, Rds(on)=0.135ohm, Schottky Vf=0.39V)
	IRF7303PBF	230Kb / 9P	HEXFET Power MOSFET (VDSS = 30V , RDS(on) = 0.050廓 )
AiT Semiconductor Inc.	BAT54W	454Kb / 5P	SCHOTTKY DIODE 0.52V/200mA 30V/0.5uA REV1.0
AiT Semiconductor Inc.	BAT54CW	445Kb / 5P	SCHOTTKY DIODE 0.52V/200mA 30V/0.5uA REV1.0
International Rectifier	IRF5803D2	127Kb / 11P	FETKY??MOSFET & Schottky Diode(Vdss=-40V, Rds(on)=112ohm)

Acerca de International Rectifier

International Rectifier (IR) era una empresa estadounidense especializada en el diseño y fabricación de semiconductores de control de energía y control de energía.
La compañía fue fundada en 1947 y tuvo sede en El Segundo, California.
IR proporcionó una amplia gama de productos que incluyen ICS de administración de energía, MOSFET de energía, IGBT y otros productos de control de energía.
Los productos de la compañía se utilizaron en diversas aplicaciones, como informática, telecomunicaciones y automatización industrial.
IR era conocido por su experiencia en gestión de energía y tecnología de control y su capacidad para ofrecer productos confiables y de alta calidad a sus clientes.
En 2014, IR fue adquirido por Infineon Technologies, un proveedor líder de productos de gestión y control de energía y otras soluciones de semiconductores.
La marca internacional de rectificadores ya no está en uso, pero su tecnología y productos continúan siendo parte de la cartera de Infineon.

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