VEC2811 Datasheet(PDF) - Sanyo Semicon Device

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VEC2811 Datasheet (PDF) - Sanyo Semicon Device

VEC2811 Datasheet PDF - Sanyo Semicon Device


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Fabricante Electrónico	SANYO [Sanyo Semicon Device]

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Descripción Electrónicos

MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device

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Descripción Electrónicos	MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device

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VEC2811 Detalles de producto

Features

• DC/DC converter.

• Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET and a Schottky Barrier Diode contained in one package

facilitating high-density mounting.

• [MOSFET]

• Low ON-resistance.

• 4V drive.

• [SBD]

• Short reverse recovery time.

• Low forward voltage.

Número de pieza similar - VEC2811

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Sanyo Semicon Device	VEC2812	53Kb / 6P	MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device
	VEC2813	54Kb / 6P	MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device
	VEC2814	54Kb / 6P	MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device
	VEC2815	72Kb / 6P	MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode
	VEC2818	64Kb / 6P	MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device

Descripción similar - VEC2811

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Sanyo Semicon Device	CPH5846	54Kb / 6P	MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device
	CPH5854	55Kb / 6P	MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device
	CPH5857	72Kb / 6P	MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device
	CPH5835	51Kb / 6P	MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device
	FW507	50Kb / 6P	MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device
	SCH2811	55Kb / 6P	MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device
	SCH2822	67Kb / 6P	MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device
	SCH2830	68Kb / 6P	MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device
	VEC2818	64Kb / 6P	MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device
	VEC2819	69Kb / 6P	MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device

Acerca de Sanyo Semicon Device

Sanyo Semiconductor Device Corporation, o dispositivo Sanyo Semicon, fue una subsidiaria de Sanyo Electric Co., Ltd., una compañía de electrónica japonesa. El dispositivo Sanyo Semicon era un fabricante de dispositivos semiconductores, incluidos diodos, transistores y otros componentes para la electrónica de consumo, las aplicaciones automotrices e industriales. La compañía se estableció en 1970 y tuvo su sede en Osaka, Japón.

El dispositivo Sanyo Semicon era conocido por sus productos de alta calidad y su compromiso de satisfacer las necesidades de sus clientes. La compañía tuvo un fuerte enfoque en la investigación y el desarrollo y participó en el desarrollo de nuevas tecnologías y productos para la industria de los semiconductores. Los productos del dispositivo Sanyo Semicon se usaron ampliamente en una variedad de aplicaciones y ayudaron a apoyar el crecimiento de la industria electrónica.

En 2010, Sanyo Electric fue adquirido por Panasonic Corporation, una compañía líder global de electrónica. Como resultado, el dispositivo Sanyo Semicon se convirtió en una subsidiaria de Panasonic y se integró en su negocio de semiconductores. La adquisición permitió a Panasonic expandir su cartera de productos y ofertas en el mercado de semiconductores y fortalecer aún más su posición en la industria electrónica.

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