RFD4N06LSM9A Datasheet(PDF) - BYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

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RFD4N06LSM9A Detalles de producto

Features
 VDS= 60V, ID= 50A
RDS(ON) < 73mΩ @ VGS = 10V
RDS(ON) < 85 mΩ @ VGS =4.5V

General Features
● Advanced Trench Technology
● Provide Excellent RDS(ON) and Low Gate
Charge
● Lead Free and Green Available

Número de pieza similar - RFD4N06LSM9A

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Intersil Corporation	RFD4N06LSM	38Kb / 5P	4A, 60V, 0.600 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs June 1999
Fairchild Semiconductor	RFD4N06LSM	351Kb / 5P	4A, 60V, 0.600 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
Inchange Semiconductor ...	RFD4N06LSM	298Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor

Descripción similar - RFD4N06LSM9A

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
GTM CORPORATION	G2N7002K	368Kb / 4P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
	G111K	366Kb / 4P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
	G138	324Kb / 4P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
	G301K	296Kb / 4P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
	G2304A	371Kb / 4P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
	G2308E	330Kb / 4P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
	GE20N03	296Kb / 5P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
	GE40N03	251Kb / 5P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
	GE50L02	258Kb / 5P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
	GE70N03	299Kb / 5P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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