MTP2P50E Datasheet(PDF)

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MTP2P50E Datasheet (PDF) - Inchange Semiconductor Company Limited


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MTP2P50E Datasheet HTML 1Page - Inchange Semiconductor Company Limited

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MTP2P50E Detalles de producto

FEATURES
· Drain Current -ID= -2.0A@ TC=25℃
· Drain Source Voltage -VDSS= -500V(Min)
· Static Drain-Source On-Resistance
-RDS(on) = 6Ω(Max)@VGS= -10V
· Fast-recovery body diode
APPLICATIONS
· Bridge circuits
· Power Stitching

Número de pieza similar - MTP2P50E

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Motorola, Inc	MTP2P50E	230Kb / 8P	TMOS POWER FET 2.0 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 6.0 OHM
ON Semiconductor	MTP2P50E	103Kb / 8P	Power MOSFET 2 Amps, 500 Volts November, 2000 ??Rev. 3
	MTP2P50EG	193Kb / 7P	Power MOSFET 2 Amps, 500 Volts May, 2010 ??Rev. 6
	MTP2P50E	193Kb / 7P	Power MOSFET 2 Amps, 500 Volts May, 2010 ??Rev. 6

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	IRF5305	334Kb / 2P	P-Channel MOSFET Transistor
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Acerca de Inchange Semiconductor Company Limited

Inchange Semiconductor Company Limited es una compañía de semiconductores chino que fue fundada en 1997.

La compañía ofrece una amplia gama de productos que incluyen dispositivos de energía discretos y analógicos, y diodos para diversas aplicaciones en los mercados automotrices, industriales y de consumo.

Inchange es conocido por su enfoque en la calidad y la confiabilidad, y sus productos se utilizan ampliamente en la gestión de energía, la iluminación y otras aplicaciones.

La compañía tiene operaciones en varios países y es uno de los principales proveedores de dispositivos de energía y diodos en la región de Asia y el Pacífico.

*Esta información es solo para fines informativos generales, no seremos responsables de ninguna pérdida o daño causado por la información anterior.

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