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PMPB11EN Datasheet (PDF) - Nexperia B.V. All rights reserved
PMPB11EN Datasheet PDF - Nexperia B.V. All rights reserved
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Descripción Electrónicos 30 V, N-channel Trench MOSFET

PMPB11EN Datasheet (PDF)

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Descripción Electrónicos 30 V, N-channel Trench MOSFET

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PMPB11EN Detalles de producto

1. General description
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power
DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench
MOSFET technology.
2. Features and benefits
• Trench MOSFET technology
• Very fast switching
• Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm
• Exposed drain pad for excellent thermal conduction
• Tin-plated 100 % solderable side pads for optical solder inspection
3. Applications
• Charging switch for portable devices
• DC-to-DC converters
• Power management in battery-driven portables
• Hard disk and computing power management




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