IRFP254 Datasheet(PDF) - IXYS Corporation

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IRFP254 Datasheet (PDF) - IXYS Corporation

IRFP254 Datasheet PDF - IXYS Corporation


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Descripción Electrónicos

High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series

IRFP254 Datasheet (PDF)

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IRFP254 Datasheet (HTML) - IXYS Corporation

IRFP254 Datasheet HTML 1Page - IXYS Corporation

IRFP254 Detalles de producto

FEATURES:
• Fast switching times
• Low RDS(on) HDMOS™ process
• Rugged polysilicon gate cell structure
• Excellent high voltage stability
• Low input capacitance
• Improved high temperature reliability

APPLICATIONS:
• Switching power supplies
• Motor controls
• Audio Amplifiers
• Inverters
• Choppers

Número de pieza similar - IRFP254

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
International Rectifier	IRFP254	162Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss = 250 V, Rds(on)=0.14ohm, Id=23A)
IXYS Corporation	IRFP254	46Kb / 2P	Standard Power MOSFET - N-Channel Enhancement Mode
Vishay Siliconix	IRFP254	1Mb / 8P	Power MOSFET 16-Jun-08
New Jersey Semi-Conduct...	IRFP254	621Kb / 2P	HEXFET짰 Power MOSFET
Inchange Semiconductor ...	IRFP254	67Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor

Descripción similar - IRFP254

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
IXYS Corporation	IRFC350	45Kb / 1P	N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series
NXP Semiconductors	AFM906N	701Kb / 16P	High Ruggedness N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Rev. 1, 8/2016
	AFT05MS003N	1Mb / 20P	High Ruggedness N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET Rev. 0, 8/2015
	AFT05MS004N	1Mb / 23P	High Ruggedness N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET Rev. 0, 7/2014
	AFT05MS006N	996Kb / 23P	High Ruggedness N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET Rev. 0, 2/2014
	AFT09MP055N	965Kb / 21P	High Ruggedness N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Rev. 0, 7/2013
	AFT09MS007N	1Mb / 28P	High Ruggedness N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET Rev. 1, 4/2014
	AFT09MS015N	861Kb / 18P	High Ruggedness N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET Rev. 1, 7/2014
	MRF1K50N	827Kb / 21P	High Ruggedness N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Rev. 0, 11/2016
	MMRF1050H	424Kb / 12P	RF Power LDMOS Transistor High Ruggedness N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET Rev. 0, 02/2021

Acerca de IXYS Corporation

IXYS Corporation es una compañía de tecnología que se especializa en el diseño, fabricación y venta de semiconductores de energía y circuitos integrados (ICS). La compañía fue fundada en 1983 y tiene su sede en Milpitas, California. IXYS tiene una presencia global, con operaciones y clientes en más de 60 países de todo el mundo.

IXYS proporciona una amplia gama de productos y soluciones, que incluyen MOSFET de potencia, transistores bipolares de potencia, tiristores, diodos e ICS para aplicaciones de gestión y control de energía. Los productos de la compañía se utilizan en una variedad de aplicaciones, que incluyen energía renovable, industrial, automotriz y electrónica de consumo.

IXYS es conocido por su experiencia en tecnología de semiconductores de energía y su capacidad para proporcionar soluciones de alto rendimiento y rentables a sus clientes. La compañía está comprometida con la innovación, la investigación y el desarrollo y participa activamente en el desarrollo de nuevas tecnologías y soluciones para el mercado de semiconductores de poder. IXYS es un líder reconocido en el mercado de semiconductores de poder y continúa brindando productos y servicios de alta calidad a sus clientes.

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