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SCTWA35N65G2VAG Datasheet (PDF) - STMicroelectronics

SCTWA35N65G2VAG Datasheet PDF - STMicroelectronics
No. de pieza SCTWA35N65G2VAG
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Fabricante Electrónico  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
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Descripción Electrónicos Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 long leads package

SCTWA35N65G2VAG Datasheet (PDF)

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SCTWA35N65G2VAG Datasheet (HTML) - STMicroelectronics


SCTWA35N65G2VAG Detalles de producto

Features
• AEC-Q101 qualified
• Very fast and robust intrinsic body diode
• Low capacitance

Applications
• Switching mode power supply
• EV chargers
• DC-DC converters

Description
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s
advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device
features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching
performance. The variation of switching loss is almost independent of junction
temperature.




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Acerca de STMicroelectronics


STMicroelectronics es un fabricante multinacional de electrónica y semiconductores con sede en Ginebra, Suiza.

La compañía ofrece una amplia gama de productos que incluyen microcontroladores, sensores, amplificadores de energía y circuitos integrados para diversas aplicaciones en los mercados automotrices, industriales y de consumo.

Fundada en 1987, Stmicroelectronics tiene operaciones en más de 100 países y es una de las compañías semiconductores más grandes del mundo.

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