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STB33N60DM6 Datasheet (PDF) - STMicroelectronics
STB33N60DM6 Datasheet PDF - STMicroelectronics
No. de pieza STB33N60DM6
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Fabricante Electrónico  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
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Descripción Electrónicos N-channel 600 V, 115 mΩ typ., 25 A, MDmesh DM6 Power MOSFET in a D2PAK package

STB33N60DM6 Datasheet (PDF)

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STB33N60DM6 Datasheet (HTML) - STMicroelectronics


STB33N60DM6 Detalles de producto

Features
• Fast-recovery body diode
• Lower RDS(on) per area vs previous generation
• Low gate charge, input capacitance and resistance
• 100% avalanche tested
• Extremely high dv/dt ruggedness
• Zener-protected

Applications
• Switching applications

Description
This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fastrecovery
diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6
combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent
improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviors
available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and
ZVS phase-shift converters.




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Acerca de STMicroelectronics

STMicroelectronics es un fabricante multinacional de electrónica y semiconductores con sede en Ginebra, Suiza.

La compañía ofrece una amplia gama de productos que incluyen microcontroladores, sensores, amplificadores de energía y circuitos integrados para diversas aplicaciones en los mercados automotrices, industriales y de consumo.

Fundada en 1987, Stmicroelectronics tiene operaciones en más de 100 países y es una de las compañías semiconductores más grandes del mundo.

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