NE461M02 Datasheet(PDF) - NEC

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NE461M02 Datasheet (PDF) - NEC

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NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER

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NE461M02 Detalles de producto

DESCRIPTION
The NE461M02 is an NPN silicon epitaxial bipolar transistor designed for medium power applications requiring high dynamic range and low intermodulation distortion. This device offers excellent performance and reliability at low cost through NECs titanium, platinum, gold metallization system and direct nitride passivation of the surface of the chip. The NE461M02 is an excellent choice for low noise amplifiers in the VHF to UHF band and is suitable for CATV and other telecommunication applications.

FEATURES
• HIGH COLLECTOR CURRENT: 250 mA MAX
• NEW HIGH GAIN POWER MINI-MOLD PACKAGE (SOT-89 TYPE)
• HIGH OUTPUT POWER AT 1 dB COMPRESSION: 27 dBm TYP at 1 GHz
• HIGH IP3: 37 dBm TYP at 1 GHz

Número de pieza similar - NE461M02

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
NEC	NE46100	137Kb / 10P	NECs NPN MEDIUM POWER MICROWAVE TRANSISTOR
California Eastern Labs	NE46100	284Kb / 11P	NECs NPN MEDIUM POWER MICROWAVE TRANSISTOR
NEC	NE46134	137Kb / 10P	NECs NPN MEDIUM POWER MICROWAVE TRANSISTOR
California Eastern Labs	NE46134	284Kb / 11P	NECs NPN MEDIUM POWER MICROWAVE TRANSISTOR
NEC	NE46134-T1	137Kb / 10P	NECs NPN MEDIUM POWER MICROWAVE TRANSISTOR

Descripción similar - NE461M02

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
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	2SC5337	59Kb / 8P	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
	2SC5338	71Kb / 10P	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
	NE856M02	63Kb / 7P	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
California Eastern Labs	NE856M02	206Kb / 8P	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
Renesas Technology Corp	2SC5336	180Kb / 10P	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
Renesas Technology Corp	2SC5338	186Kb / 10P	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
California Eastern Labs	2SC5336	1Mb / 7P	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
FutureWafer Tech Co.,Lt...	2SC1815	891Kb / 7P	Low Frequency Amplifier NPN Epitaxial Silicon Transistor 27-NOV-2021 V 2.0
FutureWafer Tech Co.,Lt...	2SC945	932Kb / 7P	Low Frequency Amplifier NPN Epitaxial Silicon Transistor 27-NOV-2021 V 2.0

Acerca de NEC

NEC Corporation es una empresa japonesa de tecnología de la información y electrónica multinacional. La compañía fue fundada en 1899 y tiene su sede en Tokio, Japón. NEC proporciona una amplia gama de productos y servicios, incluidas tecnología de la información, telecomunicaciones y electrónica. Su cartera incluye hardware de computadora, software y servicios, soluciones de red, soluciones de pantalla y servidores empresariales y soluciones de almacenamiento.

NEC es conocido por su experiencia en el campo de la tecnología de la información y su capacidad para ofrecer productos y servicios innovadores y de alta calidad. La compañía tiene operaciones e instalaciones en varios países de todo el mundo y tiene una fuerte presencia en la región de Asia y el Pacífico. NEC trabaja en estrecha colaboración con sus clientes para proporcionar soluciones personalizadas que cumplan con sus requisitos y necesidades específicas.

Además de su negocio principal, NEC también está activo en los campos de la investigación y el desarrollo, y participa en diversos proyectos relacionados con tecnologías avanzadas como la inteligencia artificial, las redes 5G e Internet de las cosas (IoT). NEC se compromete a ofrecer soluciones sostenibles que apoyen el desarrollo de la sociedad y mejoren la calidad de vida de las personas de todo el mundo.

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