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Fabricante Electrónico

TIP3055 Datasheet, PDF

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Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
ON Semiconductor	TIP3055	101Kb/4P	POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 1996 REV 1
STMicroelectronics	TIP3055	45Kb/4P	COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS Aug-1999
STMicroelectronics	TIP3055	88Kb/7P	Complementary power transistors 10-Jan-2008
ON Semiconductor	TIP3055	114Kb/6P	Complementary Silicon Power Transistors May, 2012 ??Rev. 7
Mospec Semiconductor	TIP3055	107Kb/3P	POWER TRANSISTORS(15A,60V,90W)
Motorola, Inc	TIP3055	104Kb/4P	POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
Power Innovations Ltd	TIP3055	95Kb/6P	NPN SILICON POWER TRANSISTOR
Wing Shing Computer Com...	TIP3055	64Kb/1P	NPN PLANAR SILICON TRANSISTOR(AUDIO POWER AMPLIFIER DC TO DC CONVERTER)
Savantic, Inc.	TIP3055	155Kb/4P	Silicon NPN Power Transistors
Inchange Semiconductor ...	TIP3055	155Kb/4P	Silicon NPN Power Transistors
Tiger Electronic Co.,Lt...	TIP3055	64Kb/1P	Complementary Silicon High Power Ttransistors
Comset Semiconductor	TIP3055	72Kb/3P	SILICON POWER TRANSISTORS
Kwang Myoung I.S. CO.,L...	TIP3055	3Mb/1P	Silicon NPN Power Transistors
New Jersey Semi-Conduct...	TIP3055	95Kb/2P	Silicon NPN Power Transistor
Inchange Semiconductor ...	TIP3055	305Kb/2P	isc Silicon NPN Power Transistor
Multicomp Pro	TIP3055	478Kb/4P	Complementary Power Transistor 25/09/19 V1.0
Continental Device Indi...	TIP3055F	89Kb/2P	TO-3P Fully Isolated Plastic Package Transistor CDIL
TRANSYS Electronics Lim...	TIP3055F	69Kb/3P	POWER TRANSISTORS
ON Semiconductor	TIP3055G	114Kb/6P	Complementary Silicon Power Transistors May, 2012 ??Rev. 7
ON Semiconductor	TIP3055G	114Kb/6P	Complementary Silicon Power Transistors May, 2012 ??Rev. 7

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Breve descripción de TIP3055

El TIP3055 es un transistor de unión bipolar (BJT) NPN (BJT) ampliamente utilizado (negativo-negativo) conocido por su uso en amplificación de potencia y aplicaciones de conmutación de alta potencia. Es parte de la serie de transistores y se emplea comúnmente para conducir cargas como motores, relés y otras aplicaciones de alta corriente. Aquí hay algunas características clave y especificaciones del transistor TIP3055:

Polaridad: configuración del transistor NPN, lo que significa que amplifica la corriente cuando una pequeña corriente fluye desde la base al emisor.

Corriente máxima del colector (IC): el TIP3055 generalmente tiene una calificación de una corriente de colector máxima de alrededor de 15A a 25A, dependiendo del modelo y el fabricante específico.

Voltaje máximo del emisor de colector (VCEO): la clasificación VCEO generalmente es de alrededor de 60V a 100V, lo que indica el voltaje máximo que puede manejar entre el colector y los terminales del emisor cuando la base está abierta.

Gane (hfe o beta): la ganancia, denotada como hfe o beta, es el factor de amplificación del transistor y generalmente cae dentro del rango de 20 a 70.

Disipación de alta potencia: el Tip3055 está diseñado para manejar la disipación de potencia relativamente alta, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de alta potencia.

Paquete: el TIP3055 está comúnmente disponible en un paquete TO18 o TO-247, que proporciona un buen rendimiento térmico y facilita el montaje a los disipadores de calor para el enfriamiento.

Aplicaciones: El transistor TIP3055 se usa ampliamente en aplicaciones que requieren conmutación y amplificación de alta potencia, incluidos amplificadores de potencia, control del motor, alimentadores y más.

Disipación de calor: el TIP3055 puede generar calor durante la operación, por lo que puede ser necesaria la gestión adecuada del calor, incluido el tratamiento de calor, para que las aplicaciones de alta potencia garanticen un funcionamiento seguro.

Configuración del par Darlington: el Tip3055 a menudo se usa como parte de una configuración de pares de Darlington para amplificar aún más la corriente y proporcionar una alta ganancia de corriente.

*Esta información es solo para fines informativos generales, no seremos responsables de ninguna pérdida o daño causado por la información anterior.

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