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Fabricante Electrónico

2SA812 Datasheet, PDF

Número de pieza buscado : suma coincide con, comienza con "2SA812" - Total : 56 ( 1/3 Page)

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
NEC	2SA812	241Kb/4P	AUDIO FREQUENCY,GENERAL PURPOSE AMPLIFIER PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD
Renesas Technology Corp	2SA812	333Kb/6P	SILICON TRANSISTOR 1984
TRANSYS Electronics Lim...	2SA812	69Kb/1P	Plastic-Encapsulated Transistors
Goodwork Semiconductor ...	2SA812	526Kb/3P	Plastic-Encap sulate Transistors
Nanjing International G...	2SA812	1Mb/4P	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors
Dc Components	2SA812	228Kb/1P	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Weitron Technology	2SA812	211Kb/3P	PNP General Purpose Transistors
Rectron Semiconductor	2SA812	294Kb/2P	SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS TRANSISTOR(PNP)
Jinan Jing Heng Electro...	2SA812	1Mb/5P	PNP Plastic-Encapsulate Transistors
Guilin Strong Micro-Ele...	2SA812	221Kb/2P	PNP General Purpose Transistor
GUANGDONG HOTTECH INDUS...	2SA812	306Kb/2P	Plastic-Encapsulate Transistors
Galaxy Semi-Conductor H...	2SA812	219Kb/4P	Silicon Epitaxial Planar Transistor
Foshan Blue Rocket Elec...	2SA812	626Kb/6P	Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package
Jiangsu Changjiang Elec...	2SA812	844Kb/4P	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors
Galaxy Semi-Conductor H...	2SA812	175Kb/4P	Silicon Epitaxial Planar Transistor Rev.A
SHENZHEN SLS TECHNOLOGY...	2SA812	723Kb/2P	Plastic-Encapsulate Transistors
Shenzhen Luguang Electr...	2SA812	1Mb/2P	Silicon Epitaxial Planar Transistor
DONGGUAN YOU FENG WEI E...	2SA812	443Kb/3P	PNP Silicon Epitaxial Transistor
SHIKUES Electronics	2SA812	2Mb/4P	Silicon Epitaxial Planar Transistor
SHENZHEN YONGERJIA INDU...	2SA812	136Kb/1P	TRANSISTOR (PNP)

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Breve descripción de 2SA812

El 2SA812 es un modelo específico de un transistor PNP. Los transistores son dispositivos semiconductores utilizados para la amplificación y el cambio de señales electrónicas. El transistor 2SA812 está diseñado para aplicaciones de uso general.

Aquí hay algunas especificaciones clave del transistor PNP 2SA812:

Tipo de transistor: PNP
Voltaje de base colector máxima (VCBO): -35V
Voltaje máximo de colector -emisor (VCEO): -35V
Voltaje de base de emisor máximo (VEBO): -5V
Corriente del colector máximo (IC): -50MA
Ganancia de corriente de DC (HFE): típicamente que varía de 60 a 400
Disipación de potencia (PD): 150MW

El transistor 2SA812 se usa comúnmente en aplicaciones de baja potencia donde están presentes los requisitos moderados de voltaje y corriente. Se puede usar en varios circuitos, como amplificadores de señal pequeña, amplificadores de audio y otras aplicaciones de propósito general.

equivalente para 2SA812

El 2SA812 es un tipo específico de transistor de unión bipolar PNP (BJT) comúnmente utilizado en aplicaciones de amplificador de audio y de baja potencia. Si bien un reemplazo exacto con el mismo número de pieza puede no estar fácilmente disponible, existen opciones alternativas que pueden considerarse. Aquí hay algunos reemplazos potenciales para el transistor 2SA812:

BC557: El BC557 es un transistor PNP con una corriente de colector máxima de 100 mA y un voltaje máximo de emisores de colección de 45V. Tiene características eléctricas similares al 2SA812 y puede usarse como reemplazo en muchas aplicaciones de baja potencia.

2N3906: El 2N3906 es otro transistor PNP con una corriente de colector máxima de 200MA y un voltaje máximo de emisores de colección de 40V. Se usa comúnmente en circuitos de amplificación y conmutación de audio y puede considerarse como un reemplazo para el 2SA812 en ciertas aplicaciones.

MPSA92: El MPSA92 es un transistor PNP de alto voltaje con una corriente de colector máxima de 500 mA y un voltaje máximo de emisor de colector de 300V. Si bien tiene clasificaciones de corriente y voltaje más altas en comparación con el 2SA812, aún se puede usar como reemplazo según los requisitos de circuito específicos.

*Esta información es solo para fines informativos generales, no seremos responsables de ninguna pérdida o daño causado por la información anterior.

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