BPX38 datasheet(3/11 Pages) OSRAM

No. de pieza	BPX38

Descripción Electrónicos	Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1

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Fabricante Electrónico	OSRAM [OSRAM GmbH]

Página de inicio	http://www.osram.com

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Version 1.1

BPX 38

2014-01-14

Characteristics (TA = 25 °C)

Kennwerte

Parameter

Symbol

Values

Unit

Bezeichnung

Symbol

Werte

Einheit

Wavelength of max. sensitivity

Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit

λS max

880

Spectral range of sensitivity

Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit

λ10%

450 ... 1120

Radiant sensitive area

Bestrahlungsempfindliche Fläche

0.675

mm2

Dimensions of chip area

Abmessung der Chipfläche

L x W

1.02 x 1.02

mm x

Half angle

Halbwinkel

± 40

Photocurrent of collector-base photodiode

Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode

(λ = 950 nm, Ee = 0.5 mW/cm2, VCB = 5 V)

IPCB

1.8

μA

Photocurrent of collector-base photodiode

Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode

(EV = 1000 lx, Std. Light A, VCB = 5 V)

IPCB

5.5

μA

Capacitance

Kapazität

(VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0)

CCE

Capacitance

Kapazität

(VCB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0)

CCB

Capacitance

Kapazität

(VEB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0)

CEB

Dark current

Dunkelstrom

(VCE = 25 V, E = 0)

ICE0

20 (≤ 100)

BPX38 Datasheet(PDF) 3 Page - OSRAM GmbH

BPX38 Datasheet(HTML) 3 Page - OSRAM GmbH

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