SSD01L60 datasheet(4/4 Pages) SECOS

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SSD01L60 Datasheet(PDF) 4 Page - SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

No. de pieza	SSD01L60

Descripción Electrónicos	N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET

PDF	4 Pages

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Fabricante Electrónico	SECOS [SeCoS Halbleitertechnologie GmbH]

Página de inicio	http://www.secosgmbh.com

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01-Jun-2002 Rev. A

Page 4 of 4

http://www.SeCoSGmbH.com/

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Fig 7. Gate Charge Characteristics

Fig 8. Typical Capacitance Characteristics

Fig 9. Maximum Safe Operating Area

Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance

Fig 11. Switching Time Waveform

Fig 12. Gate Charge Waveform

Elektronische Bauelemente

SSD01L60

1A, 600V,RDS(ON)12

N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET

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