BPX 43

NPN-Silizium-Fototransistor

Silicon NPN Phototransistor

Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant

2007-04-02

1

Wesentliche Merkmale

• Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich

von 450 nm bis 1100 nm

• Hohe Linearität

• Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18) mit

Basisanschluss, geeignet bis 125

°C

• Gruppiert lieferbar

Anwendungen

• Lichtschranken für Gleich- und

Wechsellichtbetrieb

• Industrieelektronik

• „Messen/Steuern/Regeln“

Typ

Type

Bestellnummer

Ordering Code

Fotostrom , E

λ = 950 nm, V

Photocurrent

I

BPX 43

Q62702P0016

> 0.8

BPX 43-3/4

1)

1)

nur eine Gruppe in einer Verpackungseinheit (siehe “Kennwerte”) / only one bin within one packing unit (see

“Characteristics”)

Q62702P3581

1.25…4.0

BPX 43-4

Q62702P0016S004

2.0…4.0

BPX 43-4/5

1)

Q62702P3582

> 2.0

BPX 43-5

Q 62702P0016S005

> 3.2

Features

• Especially suitable for applications from

450 nm to 1100 nm

• High linearity

• Hermetically sealed metal package (TO-18)

with base connection suitable up to 125

°C

• Available in groups

Applications

• Photointerrupters

• Industrial electronics

• For control and drive circuits