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USKB Datasheet(PDF) 2 Page - Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd

No. de pieza USKB
Descripción Electrónicos  SILICON BRIDGE DIODES
PDF  6 Pages
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Fabricante Electrónico  SHINDENGEN [Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd]
Página de inicio  http://www.shindengen.co.jp/
Logo SHINDENGEN - Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd

USKB Datasheet(HTML) 2 Page - Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd

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background image
Item
Symbol
Storage Temperature
●
Absolute Maximum Ratings（Tc=25℃／Unless otherwise specified）
Tstg
Operation Junction Temperature
Tj
Maximun Reverse Voltage
VRM
IFSM
Peak Surge Forward Current
I2t
Current Squared Time
Mounting Torque
TOR
Conditions
Unit
US4KB80R US6KB80R US8KB80R
−55∼150
150
800
℃
℃
V
A
A
A2s
A2s
kV
N・m
60Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value,
Tj=25℃
With heatsink
Without heatsink
Tj=25℃, Per diode
IFSM1
Non−repetitive, Tj=25℃
（Recommended torque：0.5N・m）
Dielectric Strength
Vdis
Terminals to cace, AC 1 minute
Average Rectified Forward Current
I
o
60Hz sine wave,
Resistance load
8
（Tc=108℃）
2.2
200
（Ta=26℃）
575
（tp=1ms）
●
Electrical Characteristics（Tc=25℃／Unless otherwise specified）
VF
Forward Voltage
Reverse Current
IR
V
μA
℃/W
Pulse measurement, Per diode
Type No.
VR=800V, Pulse measurement, Per diode
θjc
Junction to case, With heatsink
θja
Junction to ambient, Without heatsink
Thermal Resistance
θjl
Junction to lead, Without heatsink
MAX. 1.00
MAX. 2.8
US8K80R
（IF=4A）
4
（Tc=125℃）
6
（Tc=116℃）
2.1
（Ta=30℃）
2.1
（Ta=30℃）
150
175
245
（tp=3ms）
470
（tp=1ms）
93
（3ms≦t＜8.3ms）
MAX. 1.00
（IF=2A）
MAX. 1.00
（IF=3A）
MAX. 3.5
MAX. 3.0
MAX.
5
MAX. 35
MAX. 10
US4K80R
US6K80R
112
2.0
0.8
（1ms≦t＜8.3ms）
166
（1ms≦t＜8.3ms）
Storage Temperature
●
Absolute Maximum Ratings（Tc=25℃／Unless otherwise specified）
Tstg
Operation Junction Temperature
Tj
Maximun Reverse Voltage
VRM
IFSM
Peak Surge Forward Current
I2t
Current Squared Time
Mounting Torque
TOR
US10KB80R US15KB80R US30KB80R
−55∼150
150
800
10
℃
℃
V
A
A
kV
N・m
60Hz sine wave, Non−repetitive 1cycle peak value,
Tj=25℃
With heatsink
Without heatsink
Tj=25℃, Per diode
IFSM1
Non-repetitive, Tj=25℃
（Recommended torque：0.5N・m）
Dielectric Strength
Vdis
Terminals to cace, AC 1 minute
Average Rectified Forward Current
I
o
60Hz sine wave,
Resistance load
（Tc=100℃）
15
（Tc=101℃）
30
（Tc=97℃）
2
（Ta=28℃）
2
（Ta=30℃）
2.1
150
200
350
（Ta=27℃）
245
（tp=3ms）
330
（tp=3ms）
1000
（tp=1ms）
93
（3ms≦t＜8.3ms）
●
Electrical Characteristics（Tc=25℃／Unless otherwise specified）
VF
Forward Voltage
Reverse Current
IR
V
μA
℃/W
Pulse measurement, Per diode
Type No.
VR=800V, Pulse measurement, Per diode
θjc
Junction to case, With heatsink
θja
Junction to ambient, Without heatsink
Thermal Resistance
θjl
Junction to lead, Without heatsink
MAX. 1.10
（IF=5A）
MAX. 1.10
（IF=7.5A）
MAX. 1.10
MAX. 2.5
MAX. 1.5
MAX.
5
MAX. 35
MAX. 10
MAX. 0.8
U10K80R
U15K80R
U30K80R
（IF=15A）
166
2.0
0.8
（3ms≦t＜8.3ms）
510
（1ms≦t＜8.3ms）
RATINGS
Unit
Item
Symbol
Conditions
CAT.No.TJ 536



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