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PDT2018 Datasheet(PDF) 2 Page - Kyocera Kinseki Corpotation

No. de pieza PDT2018
Descripción Electrónicos  Thyristor
PDF  8 Pages
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Fabricante Electrónico  KSS [Kyocera Kinseki Corpotation]
Página de inicio  http://www.kinseki.co.jp/eng
Logo KSS - Kyocera Kinseki Corpotation

PDT2018 Datasheet(HTML) 2 Page - Kyocera Kinseki Corpotation

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■電気的特性 Electrical Characteristics
項 目
Parameter
記 号
Symbol
条 件
Conditions
特性値（最大）
Maximum Value
単位
Unit
最小
Min
標準
Typ
最大
Max
ピークオフ電流
Peak Off-State Current
IDM
Tj = 125℃, VDM=VDRM
30
mA
ピーク逆電流
Peak Reverse Current
IRM
Tj = 125℃, VRM= VRRM
30
mA
ピークオン電圧
Peak Off-State Voltage
VTM
Tj = 25℃, ITM=600A
1.34
V
トリガゲート電流
Gate Currentto Trigger
IGT
VD=6 V, IT=1A
Tj=－40℃
300
mA
Tj= 25℃
150
Tj=125℃
80
トリガゲート電圧
Gate Voltage to Trigger
VGT
VD=6 V, IT=1A
Tj=－40℃
5
V
Tj= 25℃
3
Tj=125℃
2
非トリガゲート電圧
Gate Non-Trigger Voltage
VGD
Tj =125℃, VD=2/3 VDRM
0.25
V
臨界オフ電圧上昇率
Critical Rateof Rise of Off-State Voltage
dv/dt
Tj =125℃, VD=2/3 VDRM
500
V/μs
ターンオフ時間
Turn-Off Time
t q
Tj =125℃, ITM=Io, VD=2/3 VDRM
dv/dt =20V/μs, VR=100V, ‐di/dt = 20A/μs
100
μs
ターンオン時間
Turn-On Time
t gt
Tj =25℃, VD=2/3 VDRM
IG=300mA, diG/dt= 0.2A/μs
6
μs
遅れ時間
Delay Time
t d
2
μs
立ち上がり時間
Rise Time
t r
4
μs
ラッチング電流
LatchingCurrent
I L
Tj =25℃
100
mA
保持電流
HoldingCurrent
I H
Tj =25℃
60
mA
熱抵抗
Thermal Resistance
Rth(j-c)
接合部－ケース間
Junction to Case
0.23
℃/W
接触熱抵抗
Thermal Resistance
Rth(c-f)
ｹｰｽ-ﾌｨﾝ間，ｻｰﾏﾙｺﾝﾊﾟｳﾝﾄﾞ塗布
Case to Fin, Greased
0.15
℃/W
質 量 －－－ 約280 g
１アーム当りの値 Value Per1 Arm.
Approximate Weight



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