RJK0855DPB pdf, RJK0855DPB Descripción Electrónicos, RJK0855DPB Datasheet, RJK0855DPB view ::: ALLDATASHEET :::

No. de pieza	RJK0855DPB

Descripción Electrónicos	80V, 30A, 11 m max. Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

Tamaño del archivo	155.1 Kbytes

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Fabricante Electrónico	RENESAS [Renesas Technology Corp]

Página de inicio	http://www.renesas.com

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Número de pieza similar - RJK0855DPB

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Renesas Technology Corp	RJK0855DPB	155Kb / 7P	80V, 30A, 11 m??max. Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Renesas Technology Corp	RJK0851DPB	108Kb / 7P	80V, 20A, 23m max. Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
	RJK0852DPB	108Kb / 7P	80V, 30A, 12m max. Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
	RJK0853DPB	108Kb / 7P	80V, 40A, 8.0m max. Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
	RJK0854DPB	137Kb / 7P	80V, 25A, 13 m max. Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
	RJK0856DPB	154Kb / 7P	80V, 35A, 8.9m??max. Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
	RJK0854DPB	137Kb / 7P	80V, 25A, 13 m??max Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
	RJK0855DPB	155Kb / 7P	80V, 30A, 11 m??max. Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
	RJK0851DPB	108Kb / 7P	80V, 20A, 23m??max. Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
	RJK0853DPB	108Kb / 7P	80V, 40A, 8.0m??max. Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
	RJK0856DPB	153Kb / 7P	80V, 35A, 8.9m max. Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching Apr 11, 2013