PXAE213708NB-V1-R2 pdf, PXAE213708NB-V1-R2 Descripción Electrónicos, PXAE213708NB-V1-R2 Datasheet, PXAE213708NB-V1-R2 view ::: ALLDATASHEET :::

No. de pieza	PXAE213708NB-V1-R2

Descripción Electrónicos	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 400 W, 29 V, 2110 ??2180 MHz

Tamaño del archivo	529.64 Kbytes

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Fabricante Electrónico	CREE [Cree, Inc]

Página de inicio	http://www.cree.com/

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Número de pieza similar - PXAE213708NB-V1-R2

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Cree, Inc	PTFB212503FL	553Kb / 13P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 240 W, 2110 ??2170 MHz
WOLFSPEED, INC.	PXAE213708NB	707Kb / 8P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 400 W, 48 V, 2110 – 2200 MHz Rev. 04, 2022-12-20