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STB21NM60ND Datasheet (PDF) - STMicroelectronics
STB21NM60ND Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Descripción Electrónicos Low input capacitance and gate charge

STB21NM60ND Datasheet (PDF)

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STB21NM60ND Datasheet (HTML) - STMicroelectronics


STB21NM60ND Detalles de producto

Description
The FDmesh™ II series belongs to the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the company's strip layout and associates all advantages of reduced onresistance and fast switching with an intrinsic fastrecovery body diode. It is therefore strongly recommended for bridge topologies, in ZVS phase-shift converters.

Features
■ The worldwide best RDS(on)*area amongst the fast recovery diode devices
■ 100% avalanche tested
■ Low input capacitance and gate charge
■ Low gate input resistance
■ Extremely high dv/dt and avalanche capabilities

Applications
■ Switching applications




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Acerca de STMicroelectronics

STMicroelectronics es un fabricante multinacional de electrónica y semiconductores con sede en Ginebra, Suiza.

La compañía ofrece una amplia gama de productos que incluyen microcontroladores, sensores, amplificadores de energía y circuitos integrados para diversas aplicaciones en los mercados automotrices, industriales y de consumo.

Fundada en 1987, Stmicroelectronics tiene operaciones en más de 100 países y es una de las compañías semiconductores más grandes del mundo.

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