RF5117 Datasheet(PDF) - RF Micro Devices

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RF5117 Datasheet (PDF) - RF Micro Devices

RF5117 Datasheet PDF - RF Micro Devices


No. de pieza	RF5117

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Tamaño del archivo	274.69 Kbytes

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Fabricante Electrónico	RFMD [RF Micro Devices]

Página de inicio	http://www.rfmd.com

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Descripción Electrónicos

3V, 1.8GHz TO 2.8GHz LINEAR POWER AMPLIFIER

RF5117 Datasheet (PDF)

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Descripción Electrónicos	3V, 1.8GHz TO 2.8GHz LINEAR POWER AMPLIFIER

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RF5117 Detalles de producto

Product Description

The RF5117 is a linear, medium-power, high-efficiency amplifier IC designed specifically for battery-powered WLAN applications such as PC cards, mini PCI, and compact flash applications. The device is manufactured on an advanced Gallium Arsenide Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) process, and has been designed for use as the final RF amplifier in 2.5GHz WLAN and other spread-spectrum transmitters. The device is provided in a 3mmx3mm, 16-pin, leadless chip carrier with a backside ground. The RF5117 is designed to maintain linearity over a wide range of supply voltage and power output.

Features

Single 3.3V Power Supply

+30dBm Saturated Output Power

26dB Small Signal Gain

High Linearity

1800MHz to 2800MHz Frequency Range

+17dBm PO, 11G, <3% EVM

Applications

IEEE802.11B WLAN Applications

IEEE802.11G WLAN Applications

2.5GHz ISM Band Applications

Commercial and Consumer Systems

Portable Battery-Powered Equipment

Spread-Spectrum and MMDS Systems

Número de pieza similar - RF5117

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
RF Micro Devices	RF5117	277Kb / 12P	3V, 1.8GHz TO 2.8GHz LINEAR POWER AMPLIFIER
	RF5117	374Kb / 12P	3V, 1.8GHz TO 2.8GHz LINEAR POWER AMPLIFIER
	RF5117C	275Kb / 12P	3V, 1.8GHz TO 2.8GHz LINEAR POWER AMPLIFIER
	RF5117C	374Kb / 12P	3V, 1.8GHz TO 2.8GHz LINEAR POWER AMPLIFIER
	RF5117CPCBA	275Kb / 12P	3V, 1.8GHz TO 2.8GHz LINEAR POWER AMPLIFIER

Descripción similar - RF5117

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
RF Micro Devices	RF5117	374Kb / 12P	3V, 1.8GHz TO 2.8GHz LINEAR POWER AMPLIFIER
	RF5117	277Kb / 12P	3V, 1.8GHz TO 2.8GHz LINEAR POWER AMPLIFIER
	RF5117C	374Kb / 12P	3V, 1.8GHz TO 2.8GHz LINEAR POWER AMPLIFIER
	RF5117C	275Kb / 12P	3V, 1.8GHz TO 2.8GHz LINEAR POWER AMPLIFIER
	RF2189	102Kb / 6P	3V, 2.5GHZ LINEAR POWER AMPLIFIER
	RF2196	180Kb / 8P	3V PCS LINEAR POWER AMPLIFIER
	RF5189	203Kb / 10P	3V, 2.45GHz LINEAR POWER AMPLIFIER
	RF5300	237Kb / 10P	3V, 5GHz LINEAR POWER AMPLIFIER
	RF2129	83Kb / 6P	3V, 2.5GHZ LINEAR POWER AMPLIFIER
	RF2163	96Kb / 6P	3V, 2.5GHZ LINEAR POWER AMPLIFIER

Acerca de RF Micro Devices

RF Micro Devices (RFMD) era una empresa estadounidense especializada en el diseño y fabricación de componentes y soluciones de radiofrecuencia (RF) para comunicaciones inalámbricas. La compañía fue fundada en 1991 y tuvo sede en Greensboro, Carolina del Norte. RFMD proporcionó una amplia gama de productos que incluyen amplificadores de potencia, transceptores, filtros y otros componentes de RF que se utilizaron en dispositivos móviles, módulos Wi-Fi y Bluetooth, y otros sistemas inalámbricos.

RFMD era conocido por su experiencia en tecnología de RF y su capacidad para proporcionar productos innovadores y de alto rendimiento. La compañía tuvo un fuerte enfoque en la investigación y el desarrollo y participó activamente en el desarrollo de nuevas tecnologías y soluciones para la industria inalámbrica. Los productos de RFMD se usaron ampliamente en una variedad de aplicaciones y ayudaron a apoyar el crecimiento de la industria inalámbrica.

En 2015, RFMD fue adquirido por SkyWorks Solutions, Inc., un proveedor líder de semiconductores analógicos de alto rendimiento. La adquisición permitió a SkyWorks expandir su cartera de productos y sus ofertas en el mercado de RF y fortalecer aún más su posición en la industria inalámbrica.

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