2SD1007 Datasheet(PDF)

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2SD1007 Datasheet (PDF) - Renesas Technology Corp


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2SD1007 Detalles de producto

DESCRIPTION
The 2SD1006, 1007 are designed for audio frequency power amplifier application, especially in Hybrid Integrated Circuits.

FEATURES
● High Collector to Emitter Voltage : VCEO > 120 V (2SD1007)
: VCEO > 100 V (2SD1006)
● Complement to PNP type 2SB805, 806 respectively.

Número de pieza similar - 2SD1007

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
NEC	2SD1007	223Kb / 4P	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR POWER MINI MOLD
Guangdong Kexin Industr...	2SD1007	52Kb / 1P	NPN Silicon Epitaxial Transistor
Renesas Technology Corp	2SD1007	1Mb / 6P	Old Company Name in Catalogs and Other Documents
SHIKUES Electronics	2SD1007	387Kb / 2P	High collector to emitter vlotage
AiT Semiconductor Inc.	2SD1007	401Kb / 4P	GENERAL PURPOSE TRANSISTORS NPN TRANSISTORS REV1.1

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	2SD1699	322Kb / 6P	Old Company Name in Catalogs and Other Documents
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	UPA1774G-E1-A	305Kb / 10P	Old Company Name in Catalogs and Other Documents

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Acerca de Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp es una compañía de semiconductores japoneses que proporciona una amplia gama de microcontroladores, sistemas a chips y dispositivos analógicos y de energía para diversas aplicaciones en los mercados automotrices, industriales y de consumo.
La compañía se formó en 2010 a través de la fusión de NEC Electronics Corporation y Renesas Technology Corporation.
Renesas es uno de los mayores proveedores de microcontroladores del mundo y es conocido por su experiencia en el desarrollo de tecnologías avanzadas en áreas como Internet de las cosas (IoT), inteligencia artificial (IA) y electrónica automotriz.
La compañía tiene operaciones en más de 20 países y sus productos se utilizan en una amplia gama de aplicaciones.

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