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200D Datasheet (PDF) - Vishay Siliconix
200D Datasheet PDF - Vishay Siliconix
No. de pieza 200D
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Fabricante Electrónico  VISHAY [Vishay Siliconix]
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Descripción Electrónicos Wet Tantalum Capacitors Wet Sintered Anode TANTALEX TANTAPAK Capacitor Assemblies

200D Datasheet (PDF)

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200D Datasheet (HTML) - Vishay Siliconix


200D Detalles de producto

FEATURES
   TANTAPAK® Wet Sintered Anode capacitor assemblies are widely used in filter, coupling, bypass and time-delay circuits in computers, missiles, airborne equipment, radar and fire control systems.
   TANTAPAK® capacitor assemblies are available in 3 standard case styles and 13 case codes. Type 200D units are constructed with the negative terminal connected to the case; they are available only in the "A" case, in five case codes. Model 202D capacitors are the commercial equivalent of
Tansitor Style RW, Mallory-NACC Style TL and are designed to meet MIL-DTL-3965 and DSCC DWG 04021.




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Acerca de Vishay Siliconix

Vishay Siliconix es una subsidiaria de Vishay Intertechnology, un fabricante global de componentes electrónicos pasivos.
Vishay Siliconix se especializa en el diseño, la fabricación y la comercialización de MOSFET de potencia, IGBTS y otros semiconductores de poder.
La compañía fue fundada en 1962 y tiene su sede en Santa Clara, California.
Vishay Siliconix proporciona soluciones de energía para una variedad de aplicaciones, incluidos sistemas de energía renovable, equipos industriales, informática y telecomunicaciones, y electrónica automotriz.
Los productos de la compañía están diseñados para alta eficiencia, bajo consumo de energía y alta confiabilidad, y se fabrican en instalaciones de última generación utilizando procesos de fabricación avanzados.
Con un enfoque en la innovación y la satisfacción del cliente, Vishay Siliconix se compromete a proporcionar a sus clientes las mejores soluciones de gestión de energía para satisfacer sus necesidades.

*Esta información es solo para fines informativos generales, no seremos responsables de ninguna pérdida o daño causado por la información anterior.




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