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STPSC12H065 Datasheet (PDF) - STMicroelectronics
STPSC12H065 Datasheet PDF - STMicroelectronics
No. de pieza STPSC12H065
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Fabricante Electrónico  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
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Descripción Electrónicos 650 V power Schottky silicon carbide diode

STPSC12H065 Datasheet (PDF)

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STPSC12H065 Datasheet (HTML) - STMicroelectronics


STPSC12H065 Detalles de producto

Description
The SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature. Especially suited for use in PFC applications, this ST SiC diode will boost the performance in hard switching conditions. Its high forward surge capability ensures a good robustness during transient phases. . 72$& . $ . $

Features
■ No or negligible reverse recovery
■ Switching behavior independent of temperature
■ Dedicated to PFC applications
■ High forward surge capability




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Acerca de STMicroelectronics

STMicroelectronics es un fabricante multinacional de electrónica y semiconductores con sede en Ginebra, Suiza.

La compañía ofrece una amplia gama de productos que incluyen microcontroladores, sensores, amplificadores de energía y circuitos integrados para diversas aplicaciones en los mercados automotrices, industriales y de consumo.

Fundada en 1987, Stmicroelectronics tiene operaciones en más de 100 países y es una de las compañías semiconductores más grandes del mundo.

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