VT5200_15 Datasheet(PDF) - Vishay Siliconix

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VT5200 Datasheet (PDF) - Vishay Siliconix

VT5200 Datasheet PDF - Vishay Siliconix


No. de pieza	VT5200_15

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Fabricante Electrónico	VISHAY [Vishay Siliconix]

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Descripción Electrónicos

Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 2.5 A

VT5200 Datasheet (PDF)

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Fabricante Electrónico	VISHAY [Vishay Siliconix]

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Descripción Electrónicos	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 2.5 A

VT5200 Datasheet (HTML) - Vishay Siliconix

VT5200 Detalles de producto

• Trench MOS Schottky technology
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum
peak of 245 °C (for TO-263AB package)
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106
(for TO-220AC, ITO-220AC and TO-262AA package)

Número de pieza similar - VT5200_15

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Vishay Siliconix	VT5200	138Kb / 5P	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 14-Aug-13

Descripción similar - VT5200_15

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Vishay Siliconix	V30100PW-M3	87Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 8 A 20-Dec-13
	VBT2080S-M3	95Kb / 4P	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.46 V at IF = 5 A 14-May-13
	VT1045C-M3	135Kb / 5P	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.34 V at IF = 2.5 A 12-May-16
	VT5200-E3	146Kb / 6P	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 2.5 A 12-Dec-16
	VT10200C-M3	158Kb / 4P	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 2.5 A 01-Dec-16
	V20M120M-E3	98Kb / 4P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 5 A 11-May-16
	VBT1045C-E3	90Kb / 4P	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.34 V at IF = 2.5 A 09-Sep-13
	VBT1045C-M3	102Kb / 4P	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.34 V at IF = 2.5 A 30-Apr-13
	VE1045C-E3	133Kb / 4P	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.37 V at IF = 2.5 A 20-Dec-13
	VFT1045C-M3	88Kb / 4P	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.34 V at IF = 2.5 A 22-Nov-13

Acerca de Vishay Siliconix

Vishay Siliconix es una subsidiaria de Vishay Intertechnology, un fabricante global de componentes electrónicos pasivos.
Vishay Siliconix se especializa en el diseño, la fabricación y la comercialización de MOSFET de potencia, IGBTS y otros semiconductores de poder.
La compañía fue fundada en 1962 y tiene su sede en Santa Clara, California.
Vishay Siliconix proporciona soluciones de energía para una variedad de aplicaciones, incluidos sistemas de energía renovable, equipos industriales, informática y telecomunicaciones, y electrónica automotriz.
Los productos de la compañía están diseñados para alta eficiencia, bajo consumo de energía y alta confiabilidad, y se fabrican en instalaciones de última generación utilizando procesos de fabricación avanzados.
Con un enfoque en la innovación y la satisfacción del cliente, Vishay Siliconix se compromete a proporcionar a sus clientes las mejores soluciones de gestión de energía para satisfacer sus necesidades.

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