VF30100S Datasheet(PDF) - Vishay Siliconix

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VF30100S Datasheet (PDF) - Vishay Siliconix

VF30100S Datasheet PDF - Vishay Siliconix


No. de pieza	VF30100S

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Fabricante Electrónico	VISHAY [Vishay Siliconix]

Página de inicio	http://www.vishay.com

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Descripción Electrónicos

High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A

VF30100S Datasheet (PDF)

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Fabricante Electrónico	VISHAY [Vishay Siliconix]

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Descripción Electrónicos	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A

VF30100S Datasheet (HTML) - Vishay Siliconix

VF30100S Detalles de producto

• Trench MOS Schottky technology
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106
• AEC-Q101 qualified

Número de pieza similar - VF30100S

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Vishay Siliconix	VF30100S	168Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A 31-Jul-08
	VF30100S	149Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 23-Oct-09
	VF30100S	149Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 23-Oct-09
	VF30100S	139Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 23-Oct-09
	VF30100S-E3	156Kb / 6P	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 14-Dec-16

Descripción similar - VF30100S

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Vishay Siliconix	V10150S	166Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A 19-May-08
	V30100S	168Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A 31-Jul-08
	V30120S	165Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A 19-May-08
	VB30100S-M3	88Kb / 4P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A 15-May-13
	VBT3080S-M3	88Kb / 4P	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A 14-May-13
	VFT3080S-M3	89Kb / 4P	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A 11-Sep-13
	VT1060C-E3	156Kb / 6P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 2.5 A 14-Dec-16
	VT1060C-M3	133Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 2.5 A 15-Dec-16
	VT3080S-E3	157Kb / 6P	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A 14-Dec-16
	VBT1060C-M3	89Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 2.5 A 14-May-13

Acerca de Vishay Siliconix

Vishay Siliconix es una subsidiaria de Vishay Intertechnology, un fabricante global de componentes electrónicos pasivos.
Vishay Siliconix se especializa en el diseño, la fabricación y la comercialización de MOSFET de potencia, IGBTS y otros semiconductores de poder.
La compañía fue fundada en 1962 y tiene su sede en Santa Clara, California.
Vishay Siliconix proporciona soluciones de energía para una variedad de aplicaciones, incluidos sistemas de energía renovable, equipos industriales, informática y telecomunicaciones, y electrónica automotriz.
Los productos de la compañía están diseñados para alta eficiencia, bajo consumo de energía y alta confiabilidad, y se fabrican en instalaciones de última generación utilizando procesos de fabricación avanzados.
Con un enfoque en la innovación y la satisfacción del cliente, Vishay Siliconix se compromete a proporcionar a sus clientes las mejores soluciones de gestión de energía para satisfacer sus necesidades.

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