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SI4435DY Datasheet (PDF) - International Rectifier
SI4435DY Datasheet PDF - International Rectifier
No. de pieza SI4435DY
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Fabricante Electrónico  IRF [International Rectifier]
Página de inicio  http://www.irf.com
Logo IRF - International Rectifier
Descripción Electrónicos Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.020ohm

SI4435DY Datasheet (PDF)

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Descripción Electrónicos Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.020ohm

SI4435DY Datasheet (HTML) - International Rectifier


SI4435DY Detalles de producto

VDSS = -30V

RDS(on) = 0.020Ω



Description

These P-channel HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistance per silicon area. This benefit provides the designer with an extremely efficient device for use in battery and load management applications..



Ultra Low On-Resistance

P-Channel MOSFET

Surface Mount

Available in Tape & Reel




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Acerca de International Rectifier

International Rectifier (IR) era una empresa estadounidense especializada en el diseño y fabricación de semiconductores de control de energía y control de energía.
La compañía fue fundada en 1947 y tuvo sede en El Segundo, California.
IR proporcionó una amplia gama de productos que incluyen ICS de administración de energía, MOSFET de energía, IGBT y otros productos de control de energía.
Los productos de la compañía se utilizaron en diversas aplicaciones, como informática, telecomunicaciones y automatización industrial.
IR era conocido por su experiencia en gestión de energía y tecnología de control y su capacidad para ofrecer productos confiables y de alta calidad a sus clientes.
En 2014, IR fue adquirido por Infineon Technologies, un proveedor líder de productos de gestión y control de energía y otras soluciones de semiconductores.
La marca internacional de rectificadores ya no está en uso, pero su tecnología y productos continúan siendo parte de la cartera de Infineon.

*Esta información es solo para fines informativos generales, no seremos responsables de ninguna pérdida o daño causado por la información anterior.




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