IRLZ44N Datasheet(PDF) - International Rectifier

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IRLZ44N Datasheet (PDF) - International Rectifier

IRLZ44N Datasheet PDF - International Rectifier


No. de pieza	IRLZ44N

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Fabricante Electrónico	IRF [International Rectifier]

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Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.022ohm, Id=47A)

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Descripción Electrónicos	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.022ohm, Id=47A)

IRLZ44N Datasheet (HTML) - International Rectifier

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IRLZ44N Detalles de producto

Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

● Logic-Level Gate Drive
● Advanced Process Technology
● Dynamic dv/dt Rating
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated

Número de pieza similar - IRLZ44N

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Inchange Semiconductor ...	IRLZ44N	338Kb / 2P	N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRLZ44NL	178Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.022ohm, Id=47A)
	IRLZ44NL	189Kb / 11P	Logic-Level Gate Drive
	IRLZ44NPBF	228Kb / 9P	HEXFET Power MOSFET
	IRLZ44NPBF	228Kb / 9P	Advnaced Process Technology

Descripción similar - IRLZ44N

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
International Rectifier	IRF3205	92Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, Id=110A??
	IRF3205S	160Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, Id=110A??
	IRF5Y3205CM	103Kb / 7P	POWER MOSFET N-CHANNEL(Vdss=55V, Rds(on)=0.022ohm, Id=18A*)
	IRF9Z34N	108Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.10ohm, Id=-19A)
	IRF9Z34NS	162Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.10ohm, Id=-19A)
	IRFBA1405P	238Kb / 9P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=5.0mohm, Id=174A??
	IRFPS43N50K	99Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.078ohm, Id=47A)
	IRFR2605	345Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.075ohm, Id=19A)
	IRFZ24N	123Kb / 8P	Power MOSFET (Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=17A)
	IRLZ44NS	178Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.022ohm, Id=47A)

Acerca de International Rectifier

International Rectifier (IR) era una empresa estadounidense especializada en el diseño y fabricación de semiconductores de control de energía y control de energía.
La compañía fue fundada en 1947 y tuvo sede en El Segundo, California.
IR proporcionó una amplia gama de productos que incluyen ICS de administración de energía, MOSFET de energía, IGBT y otros productos de control de energía.
Los productos de la compañía se utilizaron en diversas aplicaciones, como informática, telecomunicaciones y automatización industrial.
IR era conocido por su experiencia en gestión de energía y tecnología de control y su capacidad para ofrecer productos confiables y de alta calidad a sus clientes.
En 2014, IR fue adquirido por Infineon Technologies, un proveedor líder de productos de gestión y control de energía y otras soluciones de semiconductores.
La marca internacional de rectificadores ya no está en uso, pero su tecnología y productos continúan siendo parte de la cartera de Infineon.

*Esta información es solo para fines informativos generales, no seremos responsables de ninguna pérdida o daño causado por la información anterior.

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