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IRG4PC30K Datasheet (PDF) - International Rectifier
IRG4PC30K Datasheet PDF - International Rectifier
No. de pieza IRG4PC30K
Descarga  IRG4PC30K Descarga
Tamaño del archivo   121.58 Kbytes
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Fabricante Electrónico  IRF [International Rectifier]
Página de inicio  http://www.irf.com
Logo IRF - International Rectifier
Descripción Electrónicos INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)

IRG4PC30K Datasheet (PDF)

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IRG4PC30K Datasheet PDF - International Rectifier

No. de pieza IRG4PC30K
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Fabricante Electrónico  IRF [International Rectifier]
Página de inicio  http://www.irf.com
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Descripción Electrónicos INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)

IRG4PC30K Datasheet (HTML) - International Rectifier


IRG4PC30K Detalles de producto

Short Circuit Rated UltraFast IGBT

Features
• High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, @360V VCE (start), TJ = 125°C, VGE = 15V
• Combines low conduction losses with high switching speed
• Latest generation design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations

Benefits
• As a Freewheeling Diode we recommend our HEXFREDTM ultrafast, ultrasoft recovery diodes for minimum EMI / Noise and switching losses in the Diode and IGBT
• Latest generation 4 IGBTs offer highest power density motor controls possible
• This part replaces the IRGPC30K and IRGPC30M devices




Número de pieza similar - IRG4PC30K

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178Kb / 10P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
IRG4PC30KDPBF IRF-IRG4PC30KDPBF Datasheet
345Kb / 11P		 INSULATED GATE BIPOALR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PC30KDPBF IRF-IRG4PC30KDPBF Datasheet
346Kb / 11P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PC30KDPBF IRF-IRG4PC30KDPBF_15 Datasheet
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225Kb / 10P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
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169Kb / 8P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.72V, @Vge=15V, Ic=20A)
IRG4PC30KD IRF-IRG4PC30KD Datasheet
178Kb / 10P		 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
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Acerca de International Rectifier

International Rectifier (IR) era una empresa estadounidense especializada en el diseño y fabricación de semiconductores de control de energía y control de energía.
La compañía fue fundada en 1947 y tuvo sede en El Segundo, California.
IR proporcionó una amplia gama de productos que incluyen ICS de administración de energía, MOSFET de energía, IGBT y otros productos de control de energía.
Los productos de la compañía se utilizaron en diversas aplicaciones, como informática, telecomunicaciones y automatización industrial.
IR era conocido por su experiencia en gestión de energía y tecnología de control y su capacidad para ofrecer productos confiables y de alta calidad a sus clientes.
En 2014, IR fue adquirido por Infineon Technologies, un proveedor líder de productos de gestión y control de energía y otras soluciones de semiconductores.
La marca internacional de rectificadores ya no está en uso, pero su tecnología y productos continúan siendo parte de la cartera de Infineon.

*Esta información es solo para fines informativos generales, no seremos responsables de ninguna pérdida o daño causado por la información anterior.




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