IRF064N Datasheet(PDF) - International Rectifier

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IRF064N Datasheet (PDF) - International Rectifier

IRF064N Datasheet PDF - International Rectifier


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Fabricante Electrónico	IRF [International Rectifier]

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Descripción Electrónicos

Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.008ohm, Id=110A??

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Fabricante Electrónico	IRF [International Rectifier]

Página de inicio	http://www.irf.com

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Descripción Electrónicos	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.008ohm, Id=110A??

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IRF064N Detalles de producto

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

Número de pieza similar - IRF064N

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Vishay Siliconix	IRF01ER100K	74Kb / 3P	Inductors Epoxy Conformal Coated Uniform Roll Coated 07-Aug-07
International Rectifier	IRF034	144Kb / 7P	REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE)
Inchange Semiconductor ...	IRF034	48Kb / 2P	Simple Drive Requirements
Seme LAB	IRF044	21Kb / 2P	N-CHANNEL POWER MOSFET
International Rectifier	IRF044	146Kb / 7P	REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE)

Descripción similar - IRF064N

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
International Rectifier	IRF3205	92Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, Id=110A??
	IRF3205S	160Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, Id=110A??
	IRF5N3205	118Kb / 7P	POWER MOSFET N-CHANNEL(Vdss=55V, Rds(on)=0.008ohm, Id=55A*)
	IRF7463	84Kb / 7P	Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=0.008ohm, Id=14A)
	IRF9Z34N	108Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.10ohm, Id=-19A)
	IRF9Z34NS	162Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.10ohm, Id=-19A)
	IRFBA1405P	238Kb / 9P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=5.0mohm, Id=174A??
	IRFI3205	107Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.008ohm, Id=64A)
	IRFR2605	345Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.075ohm, Id=19A)
	IRFZ24N	123Kb / 8P	Power MOSFET (Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=17A)

Acerca de International Rectifier

International Rectifier (IR) era una empresa estadounidense especializada en el diseño y fabricación de semiconductores de control de energía y control de energía.
La compañía fue fundada en 1947 y tuvo sede en El Segundo, California.
IR proporcionó una amplia gama de productos que incluyen ICS de administración de energía, MOSFET de energía, IGBT y otros productos de control de energía.
Los productos de la compañía se utilizaron en diversas aplicaciones, como informática, telecomunicaciones y automatización industrial.
IR era conocido por su experiencia en gestión de energía y tecnología de control y su capacidad para ofrecer productos confiables y de alta calidad a sus clientes.
En 2014, IR fue adquirido por Infineon Technologies, un proveedor líder de productos de gestión y control de energía y otras soluciones de semiconductores.
La marca internacional de rectificadores ya no está en uso, pero su tecnología y productos continúan siendo parte de la cartera de Infineon.

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