IRF520N Datasheet(PDF) - International Rectifier

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IRF520N Datasheet (PDF) - International Rectifier

IRF520N Datasheet PDF - International Rectifier


No. de pieza	IRF520N

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Fabricante Electrónico	IRF [International Rectifier]

Página de inicio	http://www.irf.com

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Descripción Electrónicos

Power MOSFET(Vdss = 100 V, Rds(on) = 0.20 Ohm, Id= 9.7A)

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Fabricante Electrónico	IRF [International Rectifier]

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Descripción Electrónicos	Power MOSFET(Vdss = 100 V, Rds(on) = 0.20 Ohm, Id= 9.7A)

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IRF520N Detalles de producto

Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.

• Advanced Process Technology
• Dynamic dv/dt Rating
• 175°C Operating Temperature
• Fast Switching
• Fully Avalanche Rated

Número de pieza similar - IRF520N

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Inchange Semiconductor ...	IRF520N	294Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
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Kersemi Electronic Co.,...	IRF520NL	1Mb / 10P	Low-profile through-hole (IRF520NL)
Inchange Semiconductor ...	IRF520NL	300Kb / 2P	Isc N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF520NLPBF	405Kb / 10P	Advamced {rpcess Technology Surface Mount

Descripción similar - IRF520N

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International Rectifier	IRF1010NS	146Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss = 55 V, Rds(on)=11mohm, Id=85A??
	IRF520NS	185Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.20ohm, Id=9.7A)
	IRFP250N	122Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss = 200 V, Rds(on)=0.075ohm, Id=30A)
	IRFP254	162Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss = 250 V, Rds(on)=0.14ohm, Id=23A)
	IRFZ24NS	159Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=17A)
	IRFR014	172Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss = 60 V, Rds(on) = 0.20 Ohm, Id= 7.7A)
	IRLI530GPBF	937Kb / 7P	HEXFET Power MOSFET ( VDSS=100V , RDS(on)=0.16廓 , ID=9.7A )
	IRFL4310PBF	662Kb / 9P	HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = 0.20廓 , ID = 1.6A )
TRANSYS Electronics Lim...	IRF840	152Kb / 1P	Power MOSFET ( VDSS = 500V, RDS(on) = 0.85 ohm, ID = 8.0 A )
International Rectifier	IRLI530G	175Kb / 6P	HEXFET Power MOSFET ( VDSS=100V , RDS(on)=0.16廓 , ID=9.7A )

Acerca de International Rectifier

International Rectifier (IR) era una empresa estadounidense especializada en el diseño y fabricación de semiconductores de control de energía y control de energía.
La compañía fue fundada en 1947 y tuvo sede en El Segundo, California.
IR proporcionó una amplia gama de productos que incluyen ICS de administración de energía, MOSFET de energía, IGBT y otros productos de control de energía.
Los productos de la compañía se utilizaron en diversas aplicaciones, como informática, telecomunicaciones y automatización industrial.
IR era conocido por su experiencia en gestión de energía y tecnología de control y su capacidad para ofrecer productos confiables y de alta calidad a sus clientes.
En 2014, IR fue adquirido por Infineon Technologies, un proveedor líder de productos de gestión y control de energía y otras soluciones de semiconductores.
La marca internacional de rectificadores ya no está en uso, pero su tecnología y productos continúan siendo parte de la cartera de Infineon.

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