HGTP3N60B3D Datasheet(PDF) - Intersil Corporation

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HGTP3N60B3D Datasheet (PDF) - Intersil Corporation

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7A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

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HGTP3N60B3D Detalles de producto

The HGTP3N60B3D and HGT1S3N60B3DS are MOS gated high voltage switching devices combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. These devices have the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower onstate voltage drop varies only moderately between 25oC and 150oC. The diode used in anti-parallel with the IGBT is the RHRD460. The IGBT used is TA49192.

Features
• 7A, 600V TC = 25°C
• 600V Switching SOA Capability
• Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 115ns at TJ = 125°C
• Short Circuit Rating
• Low Conduction Loss
• Hyperfast Anti-Parallel Diode
• Related Literature
• TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount
- Components to PC Boards

Número de pieza similar - HGTP3N60B3D

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Intersil Corporation	HGTP3N60B3	141Kb / 7P	7A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs January 2000

Descripción similar - HGTP3N60B3D

Fabricante Electrónico	No. de pieza	Datasheet	Descripción Electrónicos
Harris Corporation	HGTG12N60C3D	102Kb / 7P	24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
Fairchild Semiconductor	HGTG20N60B3D	179Kb / 7P	40A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
Fairchild Semiconductor	HGTG20N60C3D	123Kb / 8P	45A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
Intersil Corporation	HGTG12N60C3D	98Kb / 7P	24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode January 2000
	HGTG20N60B3D	135Kb / 6P	40A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode January 2000
	HGTG30N60B3D	109Kb / 7P	60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode January 2000
Fairchild Semiconductor	HGTG12N60C3D	124Kb / 8P	24A, 600V, UFS SERIES N-CHANNEL IGBT WITH ANTI-PARALLEL HYPERFAST DIODE
Fairchild Semiconductor	HGTG30N60B3D	228Kb / 8P	60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
Harris Corporation	HGTP3N60C3D	394Kb / 11P	6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
Harris Corporation	HGTG30N60C3D	131Kb / 8P	63A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

Acerca de Intersil Corporation

Intersil Corporation era una compañía de semiconductores estadounidenses que se especializó en el diseño y fabricación de circuitos integrados analógicos y de señal mixta de alto rendimiento.
La compañía fue fundada en 1967 y era conocida por su experiencia en gestión de energía, conversión de datos y tecnologías de radiofrecuencia (RF).
Los productos de Intersil se utilizaron en una amplia gama de aplicaciones, como la electrónica de consumo, industrial, telecomunicaciones y aeroespacial y defensa.
En 2016, Intersil fue adquirido por Renesas Electronics Corporation, una empresa de semiconductores japoneses.
La marca y la tecnología Intersil continúan desarrollándose y vendiendo como parte de la cartera de productos de Renesas.

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